|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 2123 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
151AS29LV800T-70RSC3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 70 нс время доступаAlliance Semiconductor
152AS29LV800T-70RSI3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 70 нс время доступаAlliance Semiconductor
153AS29LV800T-70RTC3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 70 нс время доступаAlliance Semiconductor
154AS29LV800T-70RTI3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 70 нс время доступаAlliance Semiconductor
155AS29LV800T-80SC3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 80 не время доступаAlliance Semiconductor
156AS29LV800T-80SI3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 80 не время доступаAlliance Semiconductor
157AS29LV800T-80TC3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 80 не время доступаAlliance Semiconductor
158AS29LV800T-80TI3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 80 не время доступаAlliance Semiconductor
159AS29LV800T-90SC3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 90ns время доступаAlliance Semiconductor
160AS29LV800T-90SI3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 90ns время доступаAlliance Semiconductor
161AS29LV800T-90TC3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 90ns время доступаAlliance Semiconductor
162AS29LV800T-90TI3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 90ns время доступаAlliance Semiconductor
163AS29P2005V 256K x 8/128K x 16 cmos внезапное EEPROMAlliance Semiconductor
164AS4C14400-40JC1M-разрядный 4 CMOS DRAM режиме быстрого страницы, одного источника питания 5В, 40 нсAlliance Semiconductor
165AS4C14400-40TC1M-бит Þ 4 CMOS DRAM режим быстрого страницы, один источник питания 5В, 40 нсAlliance Semiconductor
166AS4C14400-50JC1M-разрядный 4 CMOS DRAM режиме быстрого страницы, одного источника питания 5В, 50 нсAlliance Semiconductor
167AS4C14400-50TC1M-бит ÷ 4 CMOS DRAM режиме быстрого страницы, одного источника питания 5В, 50 нсAlliance Semiconductor
168AS4C14400-60JC1M-бит 4 CMOS DRAM режим быстрого страницы, один источник питания 5В, 60 нсAlliance Semiconductor
169AS4C14400-60TC1M-разрядный 4 CMOS DRAM режим быстрого страницы, один источник питания 5В, 60 нсAlliance Semiconductor
170AS4C14400-70JC1M-разрядный 4 CMOS DRAM режиме быстрого страницы, одного источника питания 5В, 70nsAlliance Semiconductor
171AS4C14400-70TC1M-бит 4 CMOS DRAM режиме быстрого страницы, одного источника питания 5В, 70nsAlliance Semiconductor
172AS4C14405-40JC1M-бит ÷ 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 40 нсAlliance Semiconductor
173AS4C14405-40TC1M-бит 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 40 нсAlliance Semiconductor
174AS4C14405-50JC1M-бит Þ 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 50 нсAlliance Semiconductor
175AS4C14405-50TC1M-бит þ 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 50 нсAlliance Semiconductor
176AS4C14405-60JC1M-бит 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 60 нсAlliance Semiconductor
177AS4C14405-60TC1M-бит × 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 60 нсAlliance Semiconductor
178AS4C14405-70JC1M-бит 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 70 нсAlliance Semiconductor



179AS4C14405-70TC1M-бит 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 70 нсAlliance Semiconductor
180AS4C1M16E55V 1M x DRAM 16 cmos (EDO)Alliance Semiconductor
181AS4C1M16F55V 1M x DRAM 16 cmos (режим быстр-straniqy)Alliance Semiconductor
182AS4C1M16F5-50JC5V 1M X DRAM 16 CmosAlliance Semiconductor
183AS4C1M16F5-50JI5V 1M X DRAM 16 CmosAlliance Semiconductor
184AS4C1M16F5-50TC5V 1M X DRAM 16 CmosAlliance Semiconductor
185AS4C1M16F5-50TI5V 1M X DRAM 16 CmosAlliance Semiconductor
186AS4C1M16F5-60JC5V 1M X DRAM 16 CmosAlliance Semiconductor
187AS4C1M16F5-60JI5V 1M X DRAM 16 CmosAlliance Semiconductor
188AS4C1M16F5-60TC5V 1M X DRAM 16 CmosAlliance Semiconductor
189AS4C1M16F5-60TI5V 1M X DRAM 16 CmosAlliance Semiconductor
190AS4C256K16E05V 256K х DRAM cmos (EDO)Alliance Semiconductor
191AS4C256K16E0-30JC5V 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 30ns время доступа РАНAlliance Semiconductor
192AS4C256K16E0-35JC5V 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 35ns время доступа РАНAlliance Semiconductor
193AS4C256K16E0-50JC5V 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 50 нс время доступа РАНAlliance Semiconductor
194AS4C256K16E0-50TC5V 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 50 нс время доступа РАНAlliance Semiconductor
195AS4C256K16E0-60JCT (рак): 60 нс; V (см): от 4,5 до 5,5 В; высокая скорость 256 х 16 CMOS DRAM (ОКБ)Alliance Semiconductor
196AS4C256K16F0-25JC5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 25 нс время доступа RASAlliance Semiconductor
197AS4C256K16F0-25JI5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 25 нс время доступа RASAlliance Semiconductor
198AS4C256K16F0-25TC5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 25 нс время доступа RASAlliance Semiconductor
199AS4C256K16F0-25TI5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 25 нс время доступа RASAlliance Semiconductor
200AS4C256K16F0-30JC5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 30ns время доступа RASAlliance Semiconductor

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/alliancesemiconductor/1/