Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
151 | AS29LV800T-70RSC | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 70 нс время доступа | Alliance Semiconductor |
152 | AS29LV800T-70RSI | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 70 нс время доступа | Alliance Semiconductor |
153 | AS29LV800T-70RTC | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 70 нс время доступа | Alliance Semiconductor |
154 | AS29LV800T-70RTI | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 70 нс время доступа | Alliance Semiconductor |
155 | AS29LV800T-80SC | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 80 не время доступа | Alliance Semiconductor |
156 | AS29LV800T-80SI | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 80 не время доступа | Alliance Semiconductor |
157 | AS29LV800T-80TC | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 80 не время доступа | Alliance Semiconductor |
158 | AS29LV800T-80TI | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 80 не время доступа | Alliance Semiconductor |
159 | AS29LV800T-90SC | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 90ns время доступа | Alliance Semiconductor |
160 | AS29LV800T-90SI | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 90ns время доступа | Alliance Semiconductor |
161 | AS29LV800T-90TC | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 90ns время доступа | Alliance Semiconductor |
162 | AS29LV800T-90TI | 3В 1M х 8 / 512K х 16 CMOS Flash EEPROM, 90ns время доступа | Alliance Semiconductor |
163 | AS29P200 | 5V 256K x 8/128K x 16
cmos внезапное EEPROM | Alliance Semiconductor |
164 | AS4C14400-40JC | 1M-разрядный 4 CMOS DRAM режиме быстрого страницы, одного источника питания 5В, 40 нс | Alliance Semiconductor |
165 | AS4C14400-40TC | 1M-бит Þ 4 CMOS DRAM режим быстрого страницы, один источник питания 5В, 40 нс | Alliance Semiconductor |
166 | AS4C14400-50JC | 1M-разрядный 4 CMOS DRAM режиме быстрого страницы, одного источника питания 5В, 50 нс | Alliance Semiconductor |
167 | AS4C14400-50TC | 1M-бит ÷ 4 CMOS DRAM режиме быстрого страницы, одного источника питания 5В, 50 нс | Alliance Semiconductor |
168 | AS4C14400-60JC | 1M-бит 4 CMOS DRAM режим быстрого страницы, один источник питания 5В, 60 нс | Alliance Semiconductor |
169 | AS4C14400-60TC | 1M-разрядный 4 CMOS DRAM режим быстрого страницы, один источник питания 5В, 60 нс | Alliance Semiconductor |
170 | AS4C14400-70JC | 1M-разрядный 4 CMOS DRAM режиме быстрого страницы, одного источника питания 5В, 70ns | Alliance Semiconductor |
171 | AS4C14400-70TC | 1M-бит 4 CMOS DRAM режиме быстрого страницы, одного источника питания 5В, 70ns | Alliance Semiconductor |
172 | AS4C14405-40JC | 1M-бит ÷ 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 40 нс | Alliance Semiconductor |
173 | AS4C14405-40TC | 1M-бит 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 40 нс | Alliance Semiconductor |
174 | AS4C14405-50JC | 1M-бит Þ 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 50 нс | Alliance Semiconductor |
175 | AS4C14405-50TC | 1M-бит þ 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 50 нс | Alliance Semiconductor |
176 | AS4C14405-60JC | 1M-бит 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 60 нс | Alliance Semiconductor |
177 | AS4C14405-60TC | 1M-бит × 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 60 нс | Alliance Semiconductor |
178 | AS4C14405-70JC | 1M-бит 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 70 нс | Alliance Semiconductor |
179 | AS4C14405-70TC | 1M-бит 4 CMOS DRAM EDO, один источник питания 5В, 70 нс | Alliance Semiconductor |
180 | AS4C1M16E5 | 5V 1M x DRAM 16 cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
181 | AS4C1M16F5 | 5V 1M x DRAM 16 cmos
(режим быстр-straniqy) | Alliance Semiconductor |
182 | AS4C1M16F5-50JC | 5V 1M X DRAM 16 Cmos | Alliance Semiconductor |
183 | AS4C1M16F5-50JI | 5V 1M X DRAM 16 Cmos | Alliance Semiconductor |
184 | AS4C1M16F5-50TC | 5V 1M X DRAM 16 Cmos | Alliance Semiconductor |
185 | AS4C1M16F5-50TI | 5V 1M X DRAM 16 Cmos | Alliance Semiconductor |
186 | AS4C1M16F5-60JC | 5V 1M X DRAM 16 Cmos | Alliance Semiconductor |
187 | AS4C1M16F5-60JI | 5V 1M X DRAM 16 Cmos | Alliance Semiconductor |
188 | AS4C1M16F5-60TC | 5V 1M X DRAM 16 Cmos | Alliance Semiconductor |
189 | AS4C1M16F5-60TI | 5V 1M X DRAM 16 Cmos | Alliance Semiconductor |
190 | AS4C256K16E0 | 5V 256K х DRAM cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
191 | AS4C256K16E0-30JC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 30ns время доступа РАН | Alliance Semiconductor |
192 | AS4C256K16E0-35JC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 35ns время доступа РАН | Alliance Semiconductor |
193 | AS4C256K16E0-50JC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 50 нс время доступа РАН | Alliance Semiconductor |
194 | AS4C256K16E0-50TC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 50 нс время доступа РАН | Alliance Semiconductor |
195 | AS4C256K16E0-60JC | T (рак): 60 нс; V (см): от 4,5 до 5,5 В; высокая скорость 256 х 16 CMOS DRAM (ОКБ) | Alliance Semiconductor |
196 | AS4C256K16F0-25JC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 25 нс время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
197 | AS4C256K16F0-25JI | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 25 нс время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
198 | AS4C256K16F0-25TC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 25 нс время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
199 | AS4C256K16F0-25TI | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 25 нс время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
200 | AS4C256K16F0-30JC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 30ns время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
| | | |