Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
201 | AS4C256K16F0-30JI | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 30ns время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
202 | AS4C256K16F0-30TC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 30ns время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
203 | AS4C256K16F0-30TI | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 30ns время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
204 | AS4C256K16F0-35JC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 35ns время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
205 | AS4C256K16F0-35JI | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 35ns время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
206 | AS4C256K16F0-35TC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 35ns время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
207 | AS4C256K16F0-35TI | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 35ns время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
208 | AS4C256K16F0-50JC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 50 нс время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
209 | AS4C256K16F0-50JI | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 50 нс время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
210 | AS4C256K16F0-50TC | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 50 нс время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
211 | AS4C256K16F0-50TI | 5V 256 х 16 CM0S DRAM (быстрый режим страницы), 50 нс время доступа RAS | Alliance Semiconductor |
212 | AS4C256K16FO | 5V 256K x DRAM 16 cmos
(быстрый режим страницы) | Alliance Semiconductor |
213 | AS4C4M4E1Q | 4M х 4 семья DRAM cmos QuadCAS
(EDO) | Alliance Semiconductor |
214 | AS4C4M4EOQ | 4M х 4 семья DRAM cmos QuadCAS
(EDO) | Alliance Semiconductor |
215 | AS4C4M4F0 | DRAM cmos 5V 4M х 4 (быстрый режим
страницы) | Alliance Semiconductor |
216 | AS4C4M4F1 | DRAM cmos 5V 4M х 4 (быстрый режим
страницы) | Alliance Semiconductor |
217 | AS4LC1M16E5 | 3V 1M x DRAM 16 cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
218 | AS4LC1M16E5-50JC | 3V 1M X DRAM 6 Cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
219 | AS4LC1M16E5-50JI | 3V 1M X DRAM 6 Cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
220 | AS4LC1M16E5-50TC | 3V 1M X DRAM 6 Cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
221 | AS4LC1M16E5-50TI | 3V 1M X DRAM 6 Cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
222 | AS4LC1M16E5-60JC | 3V 1M X DRAM 6 Cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
223 | AS4LC1M16E5-60JI | 3V 1M X DRAM 6 Cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
224 | AS4LC1M16E5-60TC | 3V 1M X DRAM 6 Cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
225 | AS4LC1M16E5-60TI | 3V 1M X DRAM 6 Cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
226 | AS4LC1M16S1 | DRAM 3.3V 2Mx8/$$ET-1Mx16 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
227 | AS4LC256K16E0-35JC | 3,3 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 35ns время РАН доступа | Alliance Semiconductor |
228 | AS4LC256K16E0-35TC | 3,3 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 35ns время РАН доступа | Alliance Semiconductor |
229 | AS4LC256K16E0-45JC | 3,3 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 45ns время РАН доступа | Alliance Semiconductor |
230 | AS4LC256K16E0-45TC | 3,3 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 45ns время РАН доступа | Alliance Semiconductor |
231 | AS4LC256K16E0-60JC | 3,3 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 60 нс время РАН доступа | Alliance Semiconductor |
232 | AS4LC256K16E0-60TC | 3,3 256 х 16 CM0S DRAM (ОКБ), 60 нс время РАН доступа | Alliance Semiconductor |
233 | AS4LC256K16EO | 3.3V 256K x DRAM 16 cmos
(EDO) | Alliance Semiconductor |
234 | AS4LC2M8S1 | DRAM 3.3V 2Mx8/$$ET-1Mx16 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
235 | AS4LC4M16S0 | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
236 | AS4LC4M16S0 | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
237 | AS4LC4M16S0-10FTC | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
238 | AS4LC4M16S0-10TC | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
239 | AS4LC4M16S0-75TC | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
240 | AS4LC4M16S0-8TC | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
241 | AS4LC4M4E0 | семья DRAM 4M х 4 cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
242 | AS4LC4M4E1 | семья DRAM 4M х 4 cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
243 | AS4LC8M8S0 | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
244 | AS4LC8M8S0 | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
245 | AS4LC8M8S0-10FTC | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
246 | AS4LC8M8S0-10TC | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
247 | AS4LC8M8S0-75TC | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
248 | AS4LC8M8S0-8TC | DRAM 3.3V 4Mx16 и 8Mx8 cmos
одновременный | Alliance Semiconductor |
249 | AS6UA25616 | 2.3V к 3.6V 256K x 16
Intelliwatt малоэнергичный cmos SRAM с одним обломоком
включают | Alliance Semiconductor |
250 | AS6UA25616-BC | 2.3V к 3.6V 256K..16
Intelliwatt.?ow-power cmos SRAM с одним обломоком
включают | Alliance Semiconductor |
| | | |