 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| PDTD123ET изготавливается путем: | 
|
 | NPN 500 mA, 50 транзисторов
резистор-oborudovannyx в; R1 = 2.2 киловатта,
R2 = 2.2 киловатта Другие с той же файл данные: PDTD123ES, PDTD123EK, PDTD123E, |
скачать PDTD123ET лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 66 kb |
 | NPN 500 мА, резистор оборудованных транзисторы 50 В; R1 = 2,2 кОм, R2 = 2,2 кОм | скачать PDTD123ET лист данных ( datasheet ) от NXP Semiconductors |
pdf 118 kb |
| NPN 500 mA, 50 транзисторов резистор-oborudovannyx в; R1 = 2.2 киловатта, R2 = 2.2 киловатта | скачать PDTD123ET лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 66 kb |
| PDTD123ES | Посмотреть PDTD123ET в наш каталог | PDTD123EU |