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PDTD123ET construit près: |
NPN 500 mA, 50 V résistance-a équipé des transistors ;R1 = 2.2 kilowatts, R2 = 2.2 kilowatts D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: PDTD123ES, PDTD123EK, PDTD123E, |
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NPN 500 mA, transistors résistance équipé de 50 V; R1 = 2,2 kOhm, R2 = 2,2 kOhm | Téléchargement PDTD123ET datasheet de NXP Semiconductors |
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NPN 500 mA, 50 V résistance-a équipé des transistors ;R1 = 2.2 kilowatts, R2 = 2.2 kilowatts | Téléchargement PDTD123ET datasheet de Philips |
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PDTD123ES | Vue PDTD123ET à notre catalogue | PDTD123EU |