|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 32036 | 32037 | 32038 | 32039 | 32040 | 32041 | 32042 | 32043 | 32044 | 32045 | 32046 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1281601UPA802TКРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА HIGH-FREQUENCY ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281602UPA802T-T1КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА HIGH-FREQUENCY ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281603UPA802TC-T16-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзисторNEC
1281604UPA803ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281605UPA803TТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281606UPA803T-T1ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281607UPA804ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С 6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD BUILT-IN 2 х 2SC5004 FLAT-LEADNEC
1281608UPA804T6-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзисторNEC
1281609UPA804T-T16-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзисторNEC
1281610UPA804TCТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С 6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD BUILT-IN 2 х 2SC5004 FLAT-LEADNEC
1281611UPA804TC-T1ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С 6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD BUILT-IN 2 х 2SC5004 FLAT-LEADNEC
1281612UPA804TF6-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзисторNEC
1281613UPA805КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281614UPA805TКРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281615UPA805T-T1КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281616UPA806КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281617UPA806TКРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281618UPA806T-T1КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281619UPA807КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 СУПЕР МИНИОЙNEC
1281620UPA807TКРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 СУПЕР МИНИОЙNEC
1281621UPA807T-T1КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 СУПЕР МИНИОЙNEC
1281622UPA808КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 СУПЕР МИНИОЙNEC
1281623UPA808TКРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 СУПЕР МИНИОЙNEC
1281624UPA808T-T1КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 СУПЕР МИНИОЙNEC
1281625UPA808TCNPN кремния высокой частоты транзистора.NEC
1281626UPA808TC-T16-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзисторNEC
1281627UPA809КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281628UPA809TКРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281629UPA809T-T1КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙNEC
1281630UPA809TFNPN кремния высокой частоты транзистора.NEC
1281631UPA80CБлок транзистора кремнияNEC
1281632UPA80GRБлок транзистора кремнияNEC
1281633UPA80GR-E2Блок транзистора кремнияNEC
1281634UPA80GR-T1Блок транзистора кремнияNEC
1281635UPA81Блок транзистора Darlington кремнияNEC
1281636UPA810ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С 6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD BUILT-IN 2 х 2SC5006 FLAT-LEADNEC
1281637UPA810TNPN кремния высокой частоты транзистора.NEC
1281638UPA810T-T1Потребительские использование ультра-высоких частот биполярные транзисторыNEC
1281639UPA810TCТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С 6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD BUILT-IN 2 х 2SC5006 FLAT-LEADNEC
1281640UPA810TC-T1ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С 6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD BUILT-IN 2 х 2SC5006 FLAT-LEADNEC
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 32036 | 32037 | 32038 | 32039 | 32040 | 32041 | 32042 | 32043 | 32044 | 32045 | 32046 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com