| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1281601 | UPA802T | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281602 | UPA802T-T1 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281603 | UPA802TC-T1 | 6-pin pequeno MM de alta freqüência dupla transistor | NEC |
| 1281604 | UPA803 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281605 | UPA803T | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281606 | UPA803T-T1 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281607 | UPA804 | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281608 | UPA804T | 6-pin pequeno MM de alta freqüência dupla transistor | NEC |
| 1281609 | UPA804T-T1 | 6-pin pequeno MM de alta freqüência dupla transistor | NEC |
| 1281610 | UPA804TC | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281611 | UPA804TC-T1 | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281612 | UPA804TF | 6-pin pequeno MM de alta freqüência dupla transistor | NEC |
| 1281613 | UPA805 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281614 | UPA805T | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281615 | UPA805T-T1 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281616 | UPA806 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281617 | UPA806T | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281618 | UPA806T-T1 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281619 | UPA807 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI SUPER DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281620 | UPA807T | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI SUPER DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281621 | UPA807T-T1 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI SUPER DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281622 | UPA808 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI SUPER DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281623 | UPA808T | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI SUPER DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281624 | UPA808T-T1 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI SUPER DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281625 | UPA808TC | NPN transistor de silício de alta freqüência. | NEC |
| 1281626 | UPA808TC-T1 | 6-pin pequeno MM de alta freqüência dupla transistor | NEC |
| 1281627 | UPA809 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281628 | UPA809T | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281629 | UPA809T-T1 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI DOS ELEMENTOS DE BUILT-IN 2 | NEC |
| 1281630 | UPA809TF | NPN transistor de silício de alta freqüência. | NEC |
| 1281631 | UPA80C | Disposição do transistor do silicone | NEC |
| 1281632 | UPA80GR | Disposição do transistor do silicone | NEC |
| 1281633 | UPA80GR-E2 | Disposição do transistor do silicone | NEC |
| 1281634 | UPA80GR-T1 | Disposição do transistor do silicone | NEC |
| 1281635 | UPA81 | Disposição do transistor de Darlington do silicone | NEC |
| 1281636 | UPA810 | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281637 | UPA810T | NPN transistor de silício de alta freqüência. | NEC |
| 1281638 | UPA810T-T1 | Uso Consumer Ultra-Alta Frequência Bipolar Transistor | NEC |
| 1281639 | UPA810TC | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281640 | UPA810TC-T1 | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD | NEC |
| | | |
