| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1281641 | UPA810TF | NPN transistor de silício de alta freqüência. | NEC |
| 1281642 | UPA811 | Do SILICONE BAIXO do AMPLIFICADOR NPN do RUÍDO de HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN 2 x 2SC4228 | NEC |
| 1281643 | UPA811T | Do SILICONE BAIXO do AMPLIFICADOR NPN do RUÍDO de HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN 2 x 2SC4228 | NEC |
| 1281644 | UPA811T-T1 | Do SILICONE BAIXO do AMPLIFICADOR NPN do RUÍDO de HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN 2 x 2SC4228 | NEC |
| 1281645 | UPA812 | Do SILICONE BAIXO do AMPLIFICADOR NPN do RUÍDO de HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN 2 x 2SC4227 | NEC |
| 1281646 | UPA812T | Do SILICONE BAIXO do AMPLIFICADOR NPN do RUÍDO de HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN 2 x 2SC4227 | NEC |
| 1281647 | UPA812T-T1 | Do SILICONE BAIXO do AMPLIFICADOR NPN do RUÍDO de HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR EPITAXIAL COM O MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN 2 x 2SC4227 | NEC |
| 1281648 | UPA813 | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM O MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN 2 x 2SC4570 | NEC |
| 1281649 | UPA813T | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM O MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN 2 x 2SC4570 | NEC |
| 1281650 | UPA813T-T1 | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM O MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN 2 x 2SC4570 | NEC |
| 1281651 | UPA814 | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281652 | UPA814T | Uso Consumer Ultra-Alta Frequência Bipolar Transistor | NEC |
| 1281653 | UPA814T-T1 | NPN transistor de silício de alta freqüência. | NEC |
| 1281654 | UPA814TC | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281655 | UPA814TC-T1 | TRANSISTOR EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281656 | UPA814TF | NPN transistor de silício de alta freqüência. | NEC |
| 1281657 | UPA81C | Disposição do transistor de Darlington do silicone | NEC |
| 1281658 | UPA821 | TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281659 | UPA821TC | TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281660 | UPA821TC-T1 | TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS THIN-TYPE MINIMOLD ULTRA SUPER de BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD | NEC |
| 1281661 | UPA821TF | Transistores gêmeas equipados com o mesmo chip modelo (6P pequena MM) | NEC |
| 1281662 | UPA821TF-T1 | NPN transistor de silício epitaxial gêmeo. | NEC |
| 1281663 | UPA822TF | NPN transistor de silício de alta freqüência. | NEC |
| 1281664 | UPA826TC | TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS de BUILT-IN 2 x 2SC5010 FLAT-LEAD FINOS - DATILOGRAFE MINIMOLD ULTRA SUPER | NEC |
| 1281665 | UPA826TC-T1 | TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL do SILICONE de NPN COM OS 6-PINOS de BUILT-IN 2 x 2SC5010 FLAT-LEAD FINOS - DATILOGRAFE MINIMOLD ULTRA SUPER | NEC |
| 1281666 | UPA826TF | TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 1281667 | UPA826TF-T1 | TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 1281668 | UPA827 | Do SILICONE BAIXO do AMPLIFICADOR NPN do RUÍDO de HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL COM 6-PINOS 2 MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN de x 2SC5179 THIN-TYPE | NEC |
| 1281669 | UPA827TF | Do SILICONE BAIXO do AMPLIFICADOR NPN do RUÍDO de HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL COM 6-PINOS 2 MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN de x 2SC5179 THIN-TYPE | NEC |
| 1281670 | UPA827TF-T1 | Do SILICONE BAIXO do AMPLIFICADOR NPN do RUÍDO de HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL COM 6-PINOS 2 MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN de x 2SC5179 THIN-TYPE | NEC |
| 1281671 | UPA828 | TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL do SILICONE do AMPLIFICADOR NPN de HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE COM 6-PINOS 2 MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN de x 2SC5184 THIN-TYPE | NEC |
| 1281672 | UPA828TF | TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL do SILICONE do AMPLIFICADOR NPN de HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE COM 6-PINOS 2 MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN de x 2SC5184 THIN-TYPE | NEC |
| 1281673 | UPA828TF-T1 | TRANSISTOR GÊMEO EPITAXIAL do SILICONE do AMPLIFICADOR NPN de HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE COM 6-PINOS 2 MOLDE MINI PEQUENO de BUILT-IN de x 2SC5184 THIN-TYPE | NEC |
| 1281674 | UPA829TF | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 1281675 | UPA829TF-T1 | NPN transistor de silício de alta freqüência. | NEC |
| 1281676 | UPA831 | TRANSISTOR EPITAXIAL Do SILICONE De NPN COM 2 ELEMENTOS DIFERENTES Em uns 6-PINOS PACOTE ULTRA SUPER De FLAT-LEAD De THIN-TYPE MINIMOLD | NEC |
| 1281677 | UPA831TC | TRANSISTOR EPITAXIAL Do SILICONE De NPN COM 2 ELEMENTOS DIFERENTES Em uns 6-PINOS PACOTE ULTRA SUPER De FLAT-LEAD De THIN-TYPE MINIMOLD | NEC |
| 1281678 | UPA831TC-T1 | TRANSISTOR EPITAXIAL Do SILICONE De NPN COM 2 ELEMENTOS DIFERENTES Em uns 6-PINOS PACOTE ULTRA SUPER De FLAT-LEAD De THIN-TYPE MINIMOLD | NEC |
| 1281679 | UPA831TF | Transistores gêmeas equipados com chips diferentes do modelo (6P pequena MM) | NEC |
| 1281680 | UPA831TF-T1 | NPN transistor de silício epitaxial gêmeo. | NEC |
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