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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1281641UPA810TFSilicium NPN de transistor à haute fréquence.NEC
1281642UPA811TRANSISTOR ÉPITAXIAL de BAS de BRUIT à haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de la fonction intégrée 2 x 2SC4228NEC
1281643UPA811TTRANSISTOR ÉPITAXIAL de BAS de BRUIT à haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de la fonction intégrée 2 x 2SC4228NEC
1281644UPA811T-T1TRANSISTOR ÉPITAXIAL de BAS de BRUIT à haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de la fonction intégrée 2 x 2SC4228NEC
1281645UPA812TRANSISTOR ÉPITAXIAL de BAS de BRUIT à haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de la fonction intégrée 2 x 2SC4227NEC
1281646UPA812TTRANSISTOR ÉPITAXIAL de BAS de BRUIT à haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de la fonction intégrée 2 x 2SC4227NEC
1281647UPA812T-T1TRANSISTOR ÉPITAXIAL de BAS de BRUIT à haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de la fonction intégrée 2 x 2SC4227NEC
1281648UPA813TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de la fonction intégrée 2 x 2SC4570NEC
1281649UPA813TTRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de la fonction intégrée 2 x 2SC4570NEC
1281650UPA813T-T1TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de la fonction intégrée 2 x 2SC4570NEC
1281651UPA814Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5195 Plat-mènent le Mince-type MINIMOLD ULTRA SUPERBE de 6-goupillesNEC
1281652UPA814TConsommateur-utilisation ultra-haute fréquence transistor bipolaireNEC
1281653UPA814T-T1Silicium NPN de transistor à haute fréquence.NEC
1281654UPA814TCLe TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5195 Plat-mènent le Mince-type MINIMOLD ULTRA SUPERBE de 6-goupillesNEC
1281655UPA814TC-T1Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5195 Plat-mènent le Mince-type MINIMOLD ULTRA SUPERBE de 6-goupillesNEC
1281656UPA814TFSilicium NPN de transistor à haute fréquence.NEC
1281657UPA81CRangée de transistor de Darlington de siliciumNEC
1281658UPA821Le TRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5006 Plat-mènent le Mince-type MINIMOLD ULTRA SUPERBE de 6-goupillesNEC
1281659UPA821TCLe TRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5006 Plat-mènent le Mince-type MINIMOLD ULTRA SUPERBE de 6-goupillesNEC



1281660UPA821TC-T1Le TRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5006 Plat-mènent le Mince-type MINIMOLD ULTRA SUPERBE de 6-goupillesNEC
1281661UPA821TFTransistors jumeaux équipés de la même puce de modèle (6P petit MM)NEC
1281662UPA821TF-T1NPN silicium de transistor double épitaxiale.NEC
1281663UPA822TFSilicium NPN de transistor à haute fréquence.NEC
1281664UPA826TCLe TRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5010 Plat-mènent des 6-goupilles LÉGÈREMENT - DACTYLOGRAPHIEZ MINIMOLD ULTRA SUPERBENEC
1281665UPA826TC-T1Le TRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC la fonction intégrée 2 x 2SC5010 Plat-mènent des 6-goupilles LÉGÈREMENT - DACTYLOGRAPHIEZ MINIMOLD ULTRA SUPERBENEC
1281666UPA826TFTRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNNEC
1281667UPA826TF-T1TRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNNEC
1281668UPA827TRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de BAS de BRUIT à haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de Mince-type intégré des 6-goupilles 2 x 2SC5179NEC
1281669UPA827TFTRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de BAS de BRUIT à haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de Mince-type intégré des 6-goupilles 2 x 2SC5179NEC
1281670UPA827TF-T1TRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de BAS de BRUIT à haute fréquence SILICIUM de l'cAmplificateur NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de Mince-type intégré des 6-goupilles 2 x 2SC5179NEC
1281671UPA828TRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de SILICIUM de l'cAmplificateur à faible bruit à haute fréquence NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de Mince-type intégré des 6-goupilles 2 x 2SC5184NEC
1281672UPA828TFTRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de SILICIUM de l'cAmplificateur à faible bruit à haute fréquence NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de Mince-type intégré des 6-goupilles 2 x 2SC5184NEC
1281673UPA828TF-T1TRANSISTOR JUMEAU ÉPITAXIAL de SILICIUM de l'cAmplificateur à faible bruit à haute fréquence NPN AVEC le PETIT MINI MOULE de Mince-type intégré des 6-goupilles 2 x 2SC5184NEC
1281674UPA829TFTRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPNNEC
1281675UPA829TF-T1Silicium NPN de transistor à haute fréquence.NEC
1281676UPA831Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC 2 ÉLÉMENTS DIFFÉRENTS DANS A Plat-mènent le PAQUET ULTRA SUPERBE Du Mince-type MINIMOLD De 6-goupillesNEC
1281677UPA831TCLe TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC 2 ÉLÉMENTS DIFFÉRENTS DANS A Plat-mènent le PAQUET ULTRA SUPERBE Du Mince-type MINIMOLD De 6-goupillesNEC
1281678UPA831TC-T1Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN AVEC 2 ÉLÉMENTS DIFFÉRENTS DANS A Plat-mènent le PAQUET ULTRA SUPERBE Du Mince-type MINIMOLD De 6-goupillesNEC
1281679UPA831TFTransistors jumeaux équipés de puces différentes modèles (6P petit MM)NEC
1281680UPA831TF-T1NPN silicium de transistor double épitaxiale.NEC
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