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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1281521UPA2755GRTRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE DE LA COMMUTATION N-CHANNELNEC
1281522UPA2756GRTRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE DE LA COMMUTATION N-CHANNELNEC
1281523UPA2780GRDIODE DE BARRIÈRE DE LA PUISSANCE MOSFET/SCHOTTKY DE LA COMMUTATION N-CHANNELNEC
1281524UPA2781GRDIODE DE BARRIÈRE DE LA PUISSANCE MOSFET/SCHOTTKY DE LA COMMUTATION N-CHANNELNEC
1281525UPA2782GRDIODE DE BARRIÈRE DE LA PUISSANCE MOSFET/SCHOTTKY DE LA COMMUTATION N-CHANNELNEC
1281526UPA2790GRCOMMUTATION N ET FET de MOS de PUISSANCE de P-CHANNELNEC
1281527UPA502TCIRCUITS Des 5-goupilles 2 de FET de MOS De N-canalNEC
1281528UPA502T-T1Transistor de siliciumNEC
1281529UPA502T-T2Transistor de siliciumNEC
1281530UPA503TTransistor de siliciumNEC
1281531UPA503T-T1Transistor de siliciumNEC
1281532UPA503T-T2Transistor de siliciumNEC
1281533UPA505TCIRCUITS Des 5-goupilles 2 de FET de MOS De N-channel/p-channelNEC
1281534UPA507TEFET de MOS de perfectionnement-type de Pch (diode(SBD) de barrière de Schottky de Sur-morceau)NEC
1281535UPA507TE-T1FET de MOS de perfectionnement-type de Pch (diode(SBD) de barrière de Schottky de Sur-morceau)NEC
1281536UPA507TE-T2FET de MOS de perfectionnement-type de Pch (diode(SBD) de barrière de Schottky de Sur-morceau)NEC
1281537UPA508TEFET de MOS de perfectionnement-type de Nch (diode(SBD) de barrière de Schottky de Sur-morceau)NEC
1281538UPA508TE-T1FET de MOS de perfectionnement-type de Nch (diode(SBD) de barrière de Schottky de Sur-morceau)NEC
1281539UPA508TE-T2FET de MOS de perfectionnement-type de Nch (diode(SBD) de barrière de Schottky de Sur-morceau)NEC



1281540UPA572Les 5-goupilles 2 de FET de MOS De N-canal CIRCUITENT POUR LA COMMUTATIONNEC
1281541UPA572TLes 5-goupilles 2 de FET de MOS De N-canal CIRCUITENT POUR LA COMMUTATIONNEC
1281542UPA573TLes 5-goupilles 2 de FET de MOS De P-canal CIRCUITENT POUR LA COMMUTATIONNEC
1281543UPA602TCIRCUITS Des 6-goupilles 2 de FET de MOS De N-canalNEC
1281544UPA603CIRCUITS Des 6-goupilles 2 de FET de MOS De P-canalNEC
1281545UPA603TCIRCUITS Des 6-goupilles 2 de FET de MOS De P-canalNEC
1281546UPA606TLes 6-goupilles 2 de FET de MOS De N-canal CIRCUITENT POUR LA COMMUTATIONNEC
1281547UPA607Les 6-goupilles 2 de FET de MOS De P-canal CIRCUITENT POUR LA COMMUTATIONNEC
1281548UPA607TLes 6-goupilles 2 de FET de MOS De P-canal CIRCUITENT POUR LA COMMUTATIONNEC
1281549UPA610Petites 6-goupilles millimètre -30v/0.1a, de transistor MOSFET de signal commande 2.5VNEC
1281550UPA610TATRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De P-canal POUR LA COMMUTATION À GRANDE VITESSENEC
1281551UPA611TATRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De N-canal POUR LA COMMUTATION À GRANDE VITESSENEC
1281552UPA620FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281553UPA620TTTRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De N-canal POUR LA COMMUTATIONNEC
1281554UPA620TT-E1FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281555UPA620TT-E2FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281556UPA621FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281557UPA621TTTRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MOS De N-canal POUR LA COMMUTATIONNEC
1281558UPA621TT-E1FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281559UPA621TT-E2FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
1281560UPA622FET de MOS de type de perfectionnement de N-canalNEC
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