| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 249321 | BC108A | NPN-транзистор для общего назначения звуковых усилителей, коллектор-эмиттер = 20В, ток коллектора = 0.1A, HFE = 180 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249322 | BC108B | транзистор sisicon npn | Siemens |
| 249323 | BC108B | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 249324 | BC108B | 0.600W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 25V VCEO, 0.200A Ic, 40 HFE. | Continental Device India Limited |
| 249325 | BC108B | NPN-транзистор для общего назначения звуковых усилителей, коллектор-эмиттер = 20В, ток коллектора = 0.1A, HFE = 290 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249326 | BC108C | транзистор sisicon npn | Siemens |
| 249327 | BC108C | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 249328 | BC108C | 0.600W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 25V VCEO, 0.200A Ic, 100 HFE. | Continental Device India Limited |
| 249329 | BC108C | NPN-транзистор для общего назначения звуковых усилителей, коллектор-эмиттер = 20В, ток коллектора = 0.1A, HFE = 520 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249330 | BC109 | Транзистор General purpose NPN | Philips |
| 249331 | BC109 | Mocy Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci
ma.ej | Ultra CEMI |
| 249332 | BC109 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
ma.ej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 249333 | BC109 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Micro Electronics |
| 249334 | BC109 | транзистор sisicon npn | Siemens |
| 249335 | BC109 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ МАЛЫЙ ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА NPN
ДВУХПОЛЯРНЫЙ | SemeLAB |
| 249336 | BC109 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ЭТАПА ВОДИТЕЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ
NPN ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT).
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА | SGS Thomson Microelectronics |
| 249337 | BC109 | 0.600W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 25V VCEO, 0.200A Ic, 200 - 800 HFE. | Continental Device India Limited |
| 249338 | BC109A | транзистор sisicon npn | Siemens |
| 249339 | BC109B | транзистор sisicon npn | Siemens |
| 249340 | BC109B | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 249341 | BC109B | 0.600W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 25V VCEO, 0.200A Ic, 40 HFE. | Continental Device India Limited |
| 249342 | BC109B | NPN-транзистор для общего назначения звуковых усилителей, коллектор-эмиттер = 20В, ток коллектора = 0.1A, HFE = 290 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249343 | BC109C | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
| 249344 | BC109C | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 249345 | BC109C | 0.600W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 25V VCEO, 0.200A Ic, 100 HFE. | Continental Device India Limited |
| 249346 | BC109C | 30 В, 50 мА, 85 МГц, кремния NPN-транзистор | Siemens |
| 249347 | BC109C | NPN-транзистор для общего назначения звуковых усилителей, коллектор-эмиттер = 20В, ток коллектора = 0.1A, HFE = 520 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249348 | BC110 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 249349 | BC114ES6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249350 | BC114ES6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249351 | BC114EUS6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249352 | BC114EUS6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249353 | BC114TS6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249354 | BC114TS6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249355 | BC114TUS6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249356 | BC114TUS6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249357 | BC114YS6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249358 | BC114YS6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249359 | BC114YUS6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 249360 | BC114YUS6R | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| | | |
