| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 249321 | BC108A | NPN transistor de uso geral amplificadores de áudio, coletor-emissor = 20V, corrente de coletor = 0.1A, hFE = 180 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249322 | BC108B | transistor do sisicon do npn | Siemens |
| 249323 | BC108B | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 249324 | BC108B | 0.600W Uso Geral NPN metal pode transistor. 25V VCEO, 0.200A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249325 | BC108B | NPN transistor de uso geral amplificadores de áudio, coletor-emissor = 20V, corrente de coletor = 0.1A, hFE = 290 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249326 | BC108C | transistor do sisicon do npn | Siemens |
| 249327 | BC108C | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 249328 | BC108C | 0.600W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 25V, 0.200A Ic, 100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249329 | BC108C | NPN transistor de uso geral amplificadores de áudio, coletor-emissor = 20V, corrente de coletor = 0.1A, hFE = 520 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249330 | BC109 | Transistor Da Finalidade Geral de NPN | Philips |
| 249331 | BC109 | Mocy de Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej | Ultra CEMI |
| 249332 | BC109 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, ma.ej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 249333 | BC109 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 249334 | BC109 | transistor do sisicon do npn | Siemens |
| 249335 | BC109 | TRANSISTOR BIPOLAR PEQUENO DO SINAL NPN DA FINALIDADE GERAL | SemeLAB |
| 249336 | BC109 | TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 249337 | BC109 | 0.600W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 25V, 0.200A Ic, 200-800 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249338 | BC109A | transistor do sisicon do npn | Siemens |
| 249339 | BC109B | transistor do sisicon do npn | Siemens |
| 249340 | BC109B | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 249341 | BC109B | 0.600W Uso Geral NPN metal pode transistor. 25V VCEO, 0.200A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249342 | BC109B | NPN transistor de uso geral amplificadores de áudio, coletor-emissor = 20V, corrente de coletor = 0.1A, hFE = 290 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249343 | BC109C | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 249344 | BC109C | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 249345 | BC109C | 0.600W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 25V, 0.200A Ic, 100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249346 | BC109C | 30 V, 50 mA, 85 MHz, Silicon NPN transistor | Siemens |
| 249347 | BC109C | NPN transistor de uso geral amplificadores de áudio, coletor-emissor = 20V, corrente de coletor = 0.1A, hFE = 520 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249348 | BC110 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 249349 | BC114ES6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249350 | BC114ES6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249351 | BC114EUS6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249352 | BC114EUS6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249353 | BC114TS6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249354 | BC114TS6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249355 | BC114TUS6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249356 | BC114TUS6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249357 | BC114YS6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249358 | BC114YS6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249359 | BC114YUS6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 249360 | BC114YUS6R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
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