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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
249321BC108ATransistor NPN para los amplificadores de audio de uso general, colector-emisor = 20V, corriente de colector = 0.1A, hFE = 180SGS Thomson Microelectronics
249322BC108Btransistor del sisicon del npnSiemens
249323BC108BFines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
249324BC108BPropósito General de 0.600W NPN metal puede transistor. 25V VCEO, 0.200A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
249325BC108BTransistor NPN para los amplificadores de audio de uso general, colector-emisor = 20V, corriente de colector = 0.1A, hFE = 290SGS Thomson Microelectronics
249326BC108Ctransistor del sisicon del npnSiemens
249327BC108CFines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
249328BC108CPropósito General de 0.600W NPN metal puede transistor. 25V VCEO, 0.200A Ic, 100 hFE.Continental Device India Limited
249329BC108CTransistor NPN para los amplificadores de audio de uso general, colector-emisor = 20V, corriente de colector = 0.1A, hFE = 520SGS Thomson Microelectronics
249330BC109Transistor De los Fines generales de NPNPhilips
249331BC109Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de TranzystorUltra CEMI
249332BC109Mocy krzemowy del ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci del ma³ejUltra CEMI
249333BC109TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
249334BC109transistor del sisicon del npnSiemens
249335BC109TRANSISTOR BIPOLAR PEQUEÑO DE FINES GENERALES DE LA SEÑAL NPNSemeLAB
249336BC109TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
249337BC109Propósito General de 0.600W NPN metal puede transistor. 25V VCEO, 0.200A Ic, 200-800 hFE.Continental Device India Limited
249338BC109Atransistor del sisicon del npnSiemens
249339BC109Btransistor del sisicon del npnSiemens



249340BC109BFines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
249341BC109BPropósito General de 0.600W NPN metal puede transistor. 25V VCEO, 0.200A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
249342BC109BTransistor NPN para los amplificadores de audio de uso general, colector-emisor = 20V, corriente de colector = 0.1A, hFE = 290SGS Thomson Microelectronics
249343BC109CTransistores de los fines generales de NPNPhilips
249344BC109CFines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
249345BC109CPropósito General de 0.600W NPN metal puede transistor. 25V VCEO, 0.200A Ic, 100 hFE.Continental Device India Limited
249346BC109C30 V, 50 mA, 85 MHz, silicio NPN del transistorSiemens
249347BC109CTransistor NPN para los amplificadores de audio de uso general, colector-emisor = 20V, corriente de colector = 0.1A, hFE = 520SGS Thomson Microelectronics
249348BC110Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
249349BC114ES6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249350BC114ES6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249351BC114EUS6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249352BC114EUS6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249353BC114TS6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249354BC114TS6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249355BC114TUS6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249356BC114TUS6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249357BC114YS6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249358BC114YS6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249359BC114YUS6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
249360BC114YUS6RMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
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