Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
251881 | BC848 | Транзистор кремния NPN (общего назначения
применение переключения применения) | AUK Corp |
251882 | BC848 | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
251883 | BC848 | 0.250W общего назначения NPN SMD транзистор. 30В VCEO, 0.100A Ic, 110 - 800 HFE. Дополнительные BC858 | Continental Device India Limited |
251884 | BC848 | PNP кремниевые AF Транзисторы | Infineon |
251885 | BC848A | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Zetex Semiconductors |
251886 | BC848A | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
251887 | BC848A | Малые Транзисторы Сигнала (NPN) | General Semiconductor |
251888 | BC848A | Общего назначения транзисторы - пакет SOT23 | Infineon |
251889 | BC848A | КРЕМНИЙ GENERAL PURPOSE TRANSISITOR
NPN | Zowie Technology Corporation |
251890 | BC848A | Транзисторы af кремния NPN (для этапов
входного сигнала af и увеличения применений водителя высокого в
настоящее время) | Siemens |
251891 | BC848A | Транзистор 310mW Сигнала NPN Малый | Micro Commercial Components |
251892 | BC848A | General purpose Amplifier/Switch
Транзистора NPN Сигнала SMD Малое | Central Semiconductor |
251893 | BC848A | Транзисторы, Rf & Af | Vishay |
251894 | BC848A | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
251895 | BC848A | 0.250W общего назначения NPN SMD транзистор. 30В VCEO, 0.100A Ic, 110 - 220 HFE. Дополнительные BC858A | Continental Device India Limited |
251896 | BC848A | HFE мин 110 NF макс. 10 дБ Транзистор полярности NPN Текущий Ic непрерывный макс 100 мА Напряжение VCEO 30 В Ток Ic (HFE) 2 мА Мощность Ptot 350 мВт | Fairchild Semiconductor |
251897 | BC848A | NPN транзистор общего назначения и для решения задач коммутации | Korea Electronics (KEC) |
251898 | BC848A | Ic = 100 мА, Vce = 5.0V транзистор | MCC |
251899 | BC848A | 30 В, NPN поверхностного монтажа небольшой сигнала транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
251900 | BC848A | 30 В, NPN поверхностного монтажа небольшой сигнала транзистор | TRSYS |
251901 | BC848A(Z) | SOT23 NPN кремниевой планарной ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРЫ | Diodes |
251902 | BC848A-1JZ | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Unknow |
251903 | BC848A-1JZ | ТРАНЗИСТОР VHF КРЕМНИЯ SOT23 NPN
ПЛОСКОСТНОЙ | Zetex Semiconductors |
251904 | BC848A-1JZ | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Unknow |
251905 | BC848A-1JZ | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Unknow |
251906 | BC848A-1JZ | ТРАНЗИСТОР VHF КРЕМНИЯ SOT23 NPN
ПЛОСКОСТНОЙ | Zetex Semiconductors |
251907 | BC848A-1JZ | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Unknow |
251908 | BC848A-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
251909 | BC848A-G | Слабый сигнал транзистора, V СВО = 30В, V CEO = 30В, V EBO = 6В, я C = 0.1A | Comchip Technology |
251910 | BC848AF | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
251911 | BC848AL | Общего назначения Кремний Транзистора NPN | ON Semiconductor |
251912 | BC848ALT1 | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
251913 | BC848ALT1 | СЛУЧАЙ 318-08, ВВОДИТ 6 SOT-23 В МОДУ
(TO-236ЈAB) | Motorola |
251914 | BC848ALT1 | Общего назначения Кремний Транзистора NPN | ON Semiconductor |
251915 | BC848ALT1G | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
251916 | BC848ALT1G | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
251917 | BC848AMTF | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
251918 | BC848AT | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Infineon |
251919 | BC848AW | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
251920 | BC848AW | Общего назначения транзисторы - пакет SOT323 | Infineon |
| | | |