|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6294 | 6295 | 6296 | 6297 | 6298 | 6299 | 6300 | 6301 | 6302 | 6303 | 6304 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
251921BC848AWТранзистор af кремния NPN (для этапов входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого низкого)Siemens
251922BC848AWОбщего назначения Кремний Транзистора NPNON Semiconductor
251923BC848AWПоверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistorsDiotec Elektronische
251924BC848AWNPN транзистор общего назначения и для решения задач коммутацииKorea Electronics (KEC)
251925BC848AW-7-FБиполярные транзисторыDiodes
251926BC848AW-GСлабый сигнал транзистора, V СВО = 30В, V CEO = 30В, V EBO = 5В, я C = 0.1AComchip Technology
251927BC848AWT1Общего назначения Кремний Transistors(NPN)Leshan Radio Company
251928BC848AWT1СЛУЧАЙ 419-02, ВВОДИТ 3 SOT-323/SC-70 В МОДУMotorola
251929BC848AWT1Общего назначения Кремний Транзистора NPNON Semiconductor
251930BC848BТранзисторы general purpose NPNPhilips
251931BC848BТранзисторы general purpose NPNPhilips
251932BC848BТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯZetex Semiconductors
251933BC848BДвухполярные ТранзисторыDiodes
251934BC848BМалые Транзисторы Сигнала (NPN)General Semiconductor
251935BC848BОбщего назначения транзисторы - пакет SOT323Infineon
251936BC848BКРЕМНИЙ GENERAL PURPOSE TRANSISITOR NPNZowie Technology Corporation
251937BC848BТранзисторы af кремния NPN (для этапов входного сигнала af и увеличения применений водителя высокого в настоящее время)Siemens
251938BC848BТранзистор 310mW Сигнала NPN МалыйMicro Commercial Components
251939BC848BGeneral purpose Amplifier/Switch Транзистора NPN Сигнала SMD МалоеCentral Semiconductor
251940BC848BТранзисторы, Rf & AfVishay
251941BC848BПоверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistorsDiotec Elektronische
251942BC848BТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ NPN МАЛЫЙTRSYS
251943BC848B, 100 мА NPN транзисторы общего назначения 30 ВNXP Semiconductors
251944BC848B0.250W общего назначения NPN SMD транзистор. 30В VCEO, 0.100A Ic, 200 - 450 HFE. Дополнительные BC858BContinental Device India Limited
251945BC848BNPN транзистор общего назначения и для решения задач коммутацииKorea Electronics (KEC)
251946BC848BIc = 100 мА, Vce = 5.0V транзисторMCC
251947BC848BNPN Общего назначения транзисторROHM
251948BC848B30 В, NPN поверхностного монтажа небольшой сигнала транзисторTRANSYS Electronics Limited
251949BC848B(Z)SOT23 NPN кремниевой планарной ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРЫDiodes
251950BC848B,CТранзисторы > малый сигнал двухполярное Transistors(up к 0.6W)ROHM
251951BC848B-1KТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯUnknow
251952BC848B-1KТРАНЗИСТОР VHF КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНОЙZetex Semiconductors
251953BC848B-1KТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯUnknow
251954BC848B-1KТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯUnknow
251955BC848B-1KТРАНЗИСТОР VHF КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНОЙZetex Semiconductors
251956BC848B-1KТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯUnknow
251957BC848B-7-FБиполярные транзисторыDiodes
251958BC848B-GСлабый сигнал транзистора, V СВО = 30В, V CEO = 30В, V EBO = 6В, я C = 0.1AComchip Technology
251959BC848BDW1T1, Двойной транзистор цель 30 В общемLeshan Radio Company
251960BC848BFТранзисторы general purpose NPNPhilips
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6294 | 6295 | 6296 | 6297 | 6298 | 6299 | 6300 | 6301 | 6302 | 6303 | 6304 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com