| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 251921 | BC848AW | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 251922 | BC848AW | Transistor NPN Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 251923 | BC848AW | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251924 | BC848AW | NPN transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 251925 | BC848AW-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251926 | BC848AW-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 5V, I C, = 0.1A | Comchip Technology |
| 251927 | BC848AWT1 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 251928 | BC848AWT1 | O CASO 419-02, DENOMINA 3 SOT-323/SC-70 | Motorola |
| 251929 | BC848AWT1 | Transistor NPN Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 251930 | BC848B | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251931 | BC848B | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251932 | BC848B | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251933 | BC848B | Transistor Bipolares | Diodes |
| 251934 | BC848B | Transistor Pequenos Do Sinal (NPN) | General Semiconductor |
| 251935 | BC848B | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 251936 | BC848B | SILICONE DA FINALIDADE GERAL TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 251937 | BC848B | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 251938 | BC848B | Transistor Pequeno 310mW Do Sinal de NPN | Micro Commercial Components |
| 251939 | BC848B | Finalidade Geral Pequena Amplifier/Switch Do Transistor NPN Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
| 251940 | BC848B | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 251941 | BC848B | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251942 | BC848B | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE NPN | TRSYS |
| 251943 | BC848B | 30 V, 100 mA NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
| 251944 | BC848B | 0.250W Uso Geral NPN Transistor SMD. VCEO 30V, 0.100A Ic, 200-450 hFE. BC858B Complementar | Continental Device India Limited |
| 251945 | BC848B | NPN transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 251946 | BC848B | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 251947 | BC848B | NPN de uso geral transistor | ROHM |
| 251948 | BC848B | 30 V, montar NPN superfície pequeno transistor de sinal | TRANSYS Electronics Limited |
| 251949 | BC848B(Z) | SOT23 NPN SILICONE PLANAR GERAIS TRANSISTORS FINALIDADE | Diodes |
| 251950 | BC848B,C | Transistor > sinal pequeno Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 251951 | BC848B-1K | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251952 | BC848B-1K | SILICONE DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 251953 | BC848B-1K | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251954 | BC848B-1K | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251955 | BC848B-1K | SILICONE DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 251956 | BC848B-1K | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251957 | BC848B-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251958 | BC848B-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 6V, I C, = 0.1A | Comchip Technology |
| 251959 | BC848BDW1T1 | 30 V, dual transistor de uso geral | Leshan Radio Company |
| 251960 | BC848BF | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
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