| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252081 | BC849B-2B | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252082 | BC849BL | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252083 | BC849BLT1 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 252084 | BC849BLT1 | O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
| 252085 | BC849BLT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252086 | BC849BLT3 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252087 | BC849BMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252088 | BC849BT | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252089 | BC849BT | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252090 | BC849BW | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 252091 | BC849BW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 252092 | BC849BW | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252093 | BC849BW | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252094 | BC849BW | NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
| 252095 | BC849C | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 252096 | BC849C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252097 | BC849C | Transistor Pequenos Do Sinal (NPN) | General Semiconductor |
| 252098 | BC849C | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 252099 | BC849C | SILICONE DA FINALIDADE GERAL TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 252100 | BC849C | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 252101 | BC849C | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 252102 | BC849C | NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
| 252103 | BC849C | 0.250W Uso Geral NPN Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC859C Complementar | Continental Device India Limited |
| 252104 | BC849C | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252105 | BC849C | NPN transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252106 | BC849C-2C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252107 | BC849C-2C | SILICONE DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 252108 | BC849C-2C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252109 | BC849C-2C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252110 | BC849C-2C | SILICONE DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 252111 | BC849C-2C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252112 | BC849CL | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252113 | BC849CLT1 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 252114 | BC849CLT1 | O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
| 252115 | BC849CLT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252116 | BC849CLT1G | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
| 252117 | BC849CLT1G | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
| 252118 | BC849CLT3 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252119 | BC849CMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252120 | BC849CT | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
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