| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 251961 | BC848BL | Sinal Pequeno XST MINI | ON Semiconductor |
| 251962 | BC848BLT1 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 251963 | BC848BLT1 | O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
| 251964 | BC848BLT1 | Sinal Pequeno XST MINI | ON Semiconductor |
| 251965 | BC848BLT3 | Sinal Pequeno XST MINI | ON Semiconductor |
| 251966 | BC848BMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251967 | BC848BPDW1T1 | A Finalidade Geral Dupla Transistors(NPN/PNP Duals) | ON Semiconductor |
| 251968 | BC848BPDW1T1 | A Finalidade Geral Dupla Transistors(NPN/PNP Duals) | ON Semiconductor |
| 251969 | BC848BT | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 251970 | BC848BT | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 251971 | BC848BW | Transistor > sinal pequeno Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 251972 | BC848BW | Transistor Bipolares | Diodes |
| 251973 | BC848BW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 251974 | BC848BW | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 251975 | BC848BW | Transistor NPN Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 251976 | BC848BW | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251977 | BC848BW | NPN transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 251978 | BC848BW-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251979 | BC848BW-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 5V, I C, = 0.1A | Comchip Technology |
| 251980 | BC848BWT1 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 251981 | BC848BWT1 | O CASO 419-02, DENOMINA 3 SOT-323/SC-70 | Motorola |
| 251982 | BC848BWT1 | Transistor NPN Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 251983 | BC848C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251984 | BC848C | Transistor Bipolares | Diodes |
| 251985 | BC848C | Transistor Pequenos Do Sinal (NPN) | General Semiconductor |
| 251986 | BC848C | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 251987 | BC848C | SILICONE DA FINALIDADE GERAL TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 251988 | BC848C | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 251989 | BC848C | Transistor Pequeno 310mW Do Sinal de NPN | Micro Commercial Components |
| 251990 | BC848C | Finalidade Geral Pequena Amplifier/Switch Do Transistor NPN Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
| 251991 | BC848C | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 251992 | BC848C | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251993 | BC848C | 0.250W Uso Geral NPN Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC858C Complementar | Continental Device India Limited |
| 251994 | BC848C | min hfe 420 NF max. 10 dB Transistor polaridade NPN Ic corrente contínua max 100 mA Tensão VCEO 30 V Ic atual (HFE) 2 mA de energia Ptot 250 mW | Fairchild Semiconductor |
| 251995 | BC848C | NPN transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 251996 | BC848C | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 251997 | BC848C | NPN de uso geral transistor | ROHM |
| 251998 | BC848C | 30 V, montar NPN superfície pequeno transistor de sinal | TRANSYS Electronics Limited |
| 251999 | BC848C | 30 V, montar NPN superfície pequeno transistor de sinal | TRSYS |
| 252000 | BC848C(Z) | SOT23 NPN SILICONE PLANAR GERAIS TRANSISTORS FINALIDADE | Diodes |
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