| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 251961 | BC848BL | Kleines Signal XST MINI | ON Semiconductor |
| 251962 | BC848BLT1 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
| 251963 | BC848BLT1 | FALL 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
| 251964 | BC848BLT1 | Kleines Signal XST MINI | ON Semiconductor |
| 251965 | BC848BLT3 | Kleines Signal XST MINI | ON Semiconductor |
| 251966 | BC848BMTF | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 251967 | BC848BPDW1T1 | Doppeluniverseller Zweck Transistors(NPN/PNP Verdoppelt) | ON Semiconductor |
| 251968 | BC848BPDW1T1 | Doppeluniverseller Zweck Transistors(NPN/PNP Verdoppelt) | ON Semiconductor |
| 251969 | BC848BT | NPN Silikon Af Transistoren | Infineon |
| 251970 | BC848BT | NPN Silikon Af Transistoren | Infineon |
| 251971 | BC848BW | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
| 251972 | BC848BW | Zweipolige Transistoren | Diodes |
| 251973 | BC848BW | Universelle Transistoren - Paket SOT323 | Infineon |
| 251974 | BC848BW | NPN Silikon AF Transistor (für AF Eingang Stadien und Treiberanwendungen hohe Stromverstärkung niedrige Kollektor-Emitter Sättigung Spannung) | Siemens |
| 251975 | BC848BW | Universeller Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 251976 | BC848BW | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 251977 | BC848BW | NPN-Transistor für allgemeine und Schaltanwendungen | Korea Electronics (KEC) |
| 251978 | BC848BW-7-F | Bipolare Transistoren | Diodes |
| 251979 | BC848BW-G | Kleiner Signal-Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 5V, I C = 0.1A | Comchip Technology |
| 251980 | BC848BWT1 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
| 251981 | BC848BWT1 | FALL 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70 | Motorola |
| 251982 | BC848BWT1 | Universeller Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 251983 | BC848C | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE UNIVERSELLE TRANSISTOREN | Zetex Semiconductors |
| 251984 | BC848C | Zweipolige Transistoren | Diodes |
| 251985 | BC848C | Kleine Signal-Transistoren (NPN) | General Semiconductor |
| 251986 | BC848C | Universelle Transistoren - Paket SOT323 | Infineon |
| 251987 | BC848C | SILIKON DES ZWECK-TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 251988 | BC848C | NPN Silikon AF Transistoren (für AF Eingang Stadien und Treiberanwendungen hohe Stromverstärkung) | Siemens |
| 251989 | BC848C | NPN Kleiner Signal-Transistor 310mW | Micro Commercial Components |
| 251990 | BC848C | SMD Kleiner Universeller Zweck Amplifier/Switch Des Signal-Transistor-NPN | Central Semiconductor |
| 251991 | BC848C | Transistoren, Rf U. Af | Vishay |
| 251992 | BC848C | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 251993 | BC848C | 0.250W General Purpose NPN SMD-Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 420-800 hFE. Ergänzende BC858C | Continental Device India Limited |
| 251994 | BC848C | hfe min 420 NF max. 10 dB Transistorpolung NPN Aktuelle Ic dauernd max 100 mA Spannungs Vceo 30 V Strom Ic (HFE) 2 mA Leistung Ptot 250 mW | Fairchild Semiconductor |
| 251995 | BC848C | NPN-Transistor für allgemeine und Schaltanwendungen | Korea Electronics (KEC) |
| 251996 | BC848C | Ic = 100mA, VCE = 5,0V Transistor | MCC |
| 251997 | BC848C | NPN-Transistor für allgemeine Zwecke | ROHM |
| 251998 | BC848C | 30 V, NPN Oberflächenmontagekleinsignaltransistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 251999 | BC848C | 30 V, NPN Oberflächenmontagekleinsignaltransistor | TRSYS |
| 252000 | BC848C(Z) | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE Zwecktransistoren | Diodes |
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