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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
251961BC848BLPiccolo Segnale XST MINION Semiconductor
251962BC848BLT1Silicone Per tutti gli usi Di Transistors(NPN)Leshan Radio Company
251963BC848BLT1IL CASO 318-08, DESIGNA 6 SOT-23 (TO-23ãb)Motorola
251964BC848BLT1Piccolo Segnale XST MINION Semiconductor
251965BC848BLT3Piccolo Segnale XST MINION Semiconductor
251966BC848BMTFTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
251967BC848BPDW1T1L'Uso generale Doppio Transistors(NPN/PNP Si raddoppia)ON Semiconductor
251968BC848BPDW1T1L'Uso generale Doppio Transistors(NPN/PNP Si raddoppia)ON Semiconductor
251969BC848BTTransistori di Af Del Silicone di NPNInfineon
251970BC848BTTransistori di Af Del Silicone di NPNInfineon
251971BC848BWTransistori > piccolo segnale Transistors(up bipolare a 0.6W)ROHM
251972BC848BWTransistori BipolariDiodes
251973BC848BWTransistori per tutti gli usi - pacchetto SOT323Infineon
251974BC848BWTransistore di AF del silicone di NPN (per le fasi dell'input di AF e tensione bassa di saturazione del collector-emitter di guadagno corrente di applicazioni del driver l'alta)Siemens
251975BC848BWTransistore Per tutti gli usi NPNON Semiconductor
251976BC848BWSupporto di superficie PlanarTransistors Silicone-EpitassialeDiotec Elektronische
251977BC848BWTransistor NPN per uso generale e di conversioneKorea Electronics (KEC)
251978BC848BW-7-FBipolar TransistorDiodes
251979BC848BW-GPiccolo segnale Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 5V, ho Ç = 0.1AComchip Technology



251980BC848BWT1Silicone Per tutti gli usi Di Transistors(NPN)Leshan Radio Company
251981BC848BWT1IL CASO 419-02, DESIGNA 3 SOT-323/sc-70Motorola
251982BC848BWT1Transistore Per tutti gli usi NPNON Semiconductor
251983BC848CTRANSISTORI PER TUTTI GLI USI PLANARI DEL SILICONE DI SOT23 NPNZetex Semiconductors
251984BC848CTransistori BipolariDiodes
251985BC848CPiccoli Transistori Del Segnale (NPN)General Semiconductor
251986BC848CTransistori per tutti gli usi - pacchetto SOT323Infineon
251987BC848CSILICONE DI USO GENERALE TRANSISITOR NPNZowie Technology Corporation
251988BC848CTransistori di AF del silicone di NPN (per le fasi dell'input di AF e guadagno corrente di applicazioni del driver l'alto)Siemens
251989BC848CPiccolo Transistore 310mW Del Segnale di NPNMicro Commercial Components
251990BC848CPiccolo Uso generale Amplifier/Switch Del Transistore NPN Del Segnale di SMDCentral Semiconductor
251991BC848CTransistori, Rf & AfVishay
251992BC848CSupporto di superficie PlanarTransistors Silicone-EpitassialeDiotec Elektronische
251993BC848CScopo 0.250W generale NPN Transistor SMD. Vceo 30V, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC858C complementareContinental Device India Limited
251994BC848Cmin HFE 420 NF max. 10 dB Polarità transistor NPN corrente Ic continuo max 100 mA Tensione Vceo 30 V corrente Ic (HFE) 2 mA Potenza Ptot 250 mWFairchild Semiconductor
251995BC848CTransistor NPN per uso generale e di conversioneKorea Electronics (KEC)
251996BC848CIc = 100mA, Vce = transistor 5.0VMCC
251997BC848CNPN transistor di uso generaleROHM
251998BC848C30 V, montaggio superficiale NPN transistor piccolo segnaleTRANSYS Electronics Limited
251999BC848C30 V, montaggio superficiale NPN transistor piccolo segnaleTRSYS
252000BC848C(Z)SOT23 NPN SILICONE PLANARE Transistori SCOPODiodes
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