| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 251841 | BC847CW | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 251842 | BC847CW | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251843 | BC847CW | 45 V, 100 mA NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
| 251844 | BC847CW | NPN transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 251845 | BC847CW-13-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251846 | BC847CW-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251847 | BC847CW-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = 50V, V CEO = 45V, V EBO = 6V, I C, = 0.1A | Comchip Technology |
| 251848 | BC847CWT1 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 251849 | BC847CWT1 | O CASO 419-02, DENOMINA 3 SOT-323/SC-70 | Motorola |
| 251850 | BC847CWT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 251851 | BC847DS | 45 V, 100 mA NPN / NPN de uso geral transistor | NXP Semiconductors |
| 251852 | BC847F | Transistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 251853 | BC847F | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251854 | BC847M | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251855 | BC847M | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251856 | BC847PN | Transistor Bipolares | Diodes |
| 251857 | BC847PN | Transistor Da Finalidade Geral - Disposição Do Transistor do Af Do Silicone de NPN/PNP | Infineon |
| 251858 | BC847PN | Disposição do transistor do AF do silicone de NPN/PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 251859 | BC847PN-13-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251860 | BC847PN-7 | TRANSISTOR PEQUENO DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO SINAL DO PAR COMPLEMENTAR | Diodes |
| 251861 | BC847PN-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251862 | BC847QAPN | 45 V, 100 mA NPN / PNP de uso geral transistor | NXP Semiconductors |
| 251863 | BC847S | Amplificador Da Finalidade Geral Da Multi-Microplaqueta de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251864 | BC847S | Transistor da finalidade geral - disposição do transistor do AF do silicone de NPN para estágios e excitadores da entrada do AF | Infineon |
| 251865 | BC847S | Disposição do transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 251866 | BC847S | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251867 | BC847T | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251868 | BC847T | 45 V, 100 mA NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
| 251869 | BC847U | Transistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 251870 | BC847UF | Transistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 251871 | BC847W | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251872 | BC847W | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251873 | BC847W | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 251874 | BC847W | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251875 | BC847W | 45 V, 100 mA NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
| 251876 | BC847W | PNP Transistor do AF do silicone | Infineon |
| 251877 | BC848 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251878 | BC848 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 251879 | BC848 | Transistor Pequenos Do Sinal (NPN) | Vishay |
| 251880 | BC848 | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
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