| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 251841 | BC847CW | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 251842 | BC847CW | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251843 | BC847CW | 45 V, 100 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251844 | BC847CW | Transistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 251845 | BC847CW-13-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 251846 | BC847CW-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 251847 | BC847CW-G | Pequeña señal Transistor, V CBO = 50V, V CEO = 45V, V EBO = 6V, yo C = 0.1A | Comchip Technology |
| 251848 | BC847CWT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 251849 | BC847CWT1 | EL CASO 419-02, LABRA 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
| 251850 | BC847CWT1 | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 251851 | BC847DS | 45 V, 100 mA NPN / NPN de propósito general transistor | NXP Semiconductors |
| 251852 | BC847F | Transistor del silicio de NPN (uso de fines generales de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 251853 | BC847F | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 251854 | BC847M | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 251855 | BC847M | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 251856 | BC847PN | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251857 | BC847PN | Transistores De fines generales - Arsenal Del Transistor del Af Del Silicio de NPN/PNP | Infineon |
| 251858 | BC847PN | Arsenal del transistor del AF del silicio de NPN/PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 251859 | BC847PN-13-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 251860 | BC847PN-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE LA SEÑAL DEL PAR COMPLEMENTARIO | Diodes |
| 251861 | BC847PN-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 251862 | BC847QAPN | 45 V, 100 mA NPN / PNP de propósito general transistor | NXP Semiconductors |
| 251863 | BC847S | Amplificador De los Fines generales De la Multi-Viruta de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251864 | BC847S | Transistores de fines generales - el arsenal del transistor del AF del silicio de NPN para el AF entró etapas y conductores | Infineon |
| 251865 | BC847S | De NPN del silicio del AF el arsenal del transistor para (del AF de las etapas de la entrada y aumento actual de los usos del conductor alto) | Siemens |
| 251866 | BC847S | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251867 | BC847T | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 251868 | BC847T | 45 V, 100 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251869 | BC847U | Transistor del silicio de NPN (uso de fines generales de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 251870 | BC847UF | Transistor del silicio de NPN (uso de fines generales de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 251871 | BC847W | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 251872 | BC847W | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 251873 | BC847W | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 251874 | BC847W | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251875 | BC847W | 45 V, 100 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251876 | BC847W | AF del silicio de PNP Transistores | Infineon |
| 251877 | BC848 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251878 | BC848 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 251879 | BC848 | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | Vishay |
| 251880 | BC848 | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| | | |
