Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
315281 | CM100BU-12H | 4 Вольта Amperes/600 IGBTMOD 100 | Powerex Power Semiconductors |
315282 | CM100DU-12F | Модули IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315283 | CM100DU-12F | Вольты Конструкции Двойные IGBTMOD.?00
Amperes/600 Строба Шанца | Powerex Power Semiconductors |
315284 | CM100DU-12H | Модули IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315285 | CM100DU-12H | ТИП ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ МОДУЛЕЙ IGBT
ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315286 | CM100DU-12H | Двойные Вольты Amperes/600 IGBTMOD 100 | Powerex Power Semiconductors |
315287 | CM100DU-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315288 | CM100DU-24F | Вольты Конструкции Двойные IGBTMOD.?00
Amperes/1200 Строба Шанца | Powerex Power Semiconductors |
315289 | CM100DU-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315290 | CM100DU-24H | ТИП ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ МОДУЛЕЙ IGBT
ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315291 | CM100DU-24H | Двойные Вольты Amperes/1200 IGBTMOD 100 | Powerex Power Semiconductors |
315292 | CM100DU-24NFH | ПОЛЬЗА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ МОДУЛЕЙ
MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315293 | CM100DU-34KA | IGBT Modules:1700V | Mitsubishi Electric Corporation |
315294 | CM100DU-34KA | Двойные Вольты Amperes/1700 IGBTMOD 100 | Powerex Power Semiconductors |
315295 | CM100DUS-12F | МОДУЛИ ТИПА IGBT ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ
ИЗОЛИРОВАННЫЕ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315296 | CM100DY | МОДУЛИ ТИПА IGBT ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ
ИЗОЛИРОВАННЫЕ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315297 | CM100DY-12H | Модули IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315298 | CM100DY-12H | МОДУЛИ ТИПА IGBT ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ
ИЗОЛИРОВАННЫЕ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315299 | CM100DY-12H | Двойные Вольты Amperes/600 IGBTMOD 100 | Powerex Power Semiconductors |
315300 | CM100DY-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315301 | CM100DY-24H | МОДУЛИ ТИПА IGBT ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ
ИЗОЛИРОВАННЫЕ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315302 | CM100DY-24H | Двойные Вольты Amperes/1200 IGBTMOD 100 | Powerex Power Semiconductors |
315303 | CM100DY-24NF | МОДУЛИ ТИПА IGBT ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ
ИЗОЛИРОВАННЫЕ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315304 | CM100DY-28H | Двойные Вольты Amperes/1400 IGBTMOD 100 | Powerex Power Semiconductors |
315305 | CM100E3U-12F | Модули IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315306 | CM100E3U-12H | Модули IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315307 | CM100E3U-12H | ТИП ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ МОДУЛЕЙ IGBT
ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315308 | CM100E3U-12H | Вольты Amperes/600 Тяпки IGBTMOD 100 | Powerex Power Semiconductors |
315309 | CM100E3U-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315310 | CM100E3U-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315311 | CM100E3U-24H | ТИП ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ МОДУЛЕЙ IGBT
ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315312 | CM100E3U-24H | Вольты Amperes/1200 Тяпки IGBTMOD 100 | Powerex Power Semiconductors |
315313 | CM100HA-28H | Изолированные Высоким напряжением Модули Транзистора
Строба Двухполярные (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
315314 | CM100TF-12H | Модули IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315315 | CM100TF-12H | ТИП ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ МОДУЛЕЙ
MITSUBISHI IGBT ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315316 | CM100TF-12H | Вольты Amperes/600 Six-IGBT IGBTMOD
100 | Powerex Power Semiconductors |
315317 | CM100TF-24 | МОДУЛИ ТИПА IGBT ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ
ИЗОЛИРОВАННЫЕ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315318 | CM100TF-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315319 | CM100TF-24H | ТИП ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ МОДУЛЕЙ
MITSUBISHI IGBT ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПОЛЬЗОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
315320 | CM100TF-24H | Вольты Amperes/1200 Six-IGBT IGBTMOD
100 | Powerex Power Semiconductors |
| | | |