Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
418641 | FMB3906_NL | Усилитель General purpose Мулти-Oblomoka
PNP | Fairchild Semiconductor |
418642 | FMB3946 | Усилитель General purpose NPN &
PNP | Fairchild Semiconductor |
418643 | FMB5551 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
418644 | FMB5551_NL | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
418645 | FMB857B | 256Mb Ф-umiraht Спецификация DDR
SDRAM | Samsung Electronic |
418646 | FMB857B | 256Mb Ф-umiraht Спецификация DDR
SDRAM | Samsung Electronic |
418647 | FMB857B | 256Mb Ф-umiraht Спецификация DDR
SDRAM | Samsung Electronic |
418648 | FMBA06 | Усилитель General purpose Мулти-Oblomoka
NPN | Fairchild Semiconductor |
418649 | FMBA0656 | Пакет Держателя SuperSOT- 6 Транзистора NPN
& PNP Комплементарные Двойные Поверхностный | Fairchild Semiconductor |
418650 | FMBA14 | Транзистор Darlington Мулти-Oblomoka
NPN | Fairchild Semiconductor |
418651 | FMBA56 | Усилитель General purpose Мулти-Oblomoka
PNP | Fairchild Semiconductor |
418652 | FMBB4148 | 200 ДИОДОВ mW ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛОСКОСТНЫХ | etc |
418653 | FMBB4148 | 200 ДИОДОВ mW ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛОСКОСТНЫХ | etc |
418654 | FMBB4148 | 200 ДИОДОВ mW ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛОСКОСТНЫХ | etc |
418655 | FMBL1G200US60 | IGBT-IPM | Fairchild Semiconductor |
418656 | FMBL1G300US60 | IGBT-IPM | Fairchild Semiconductor |
418657 | FMBM5401 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
418658 | FMBM5401_SB74001 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
418659 | FMBM5551 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
418660 | FMBM5551_SB16001 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
418661 | FMBS2383 | NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор | Fairchild Semiconductor |
418662 | FMBS5401 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
418663 | FMBS549 | Транзистор сатурации PNP низкий оптимизированный
для цепей заряжателя | Fairchild Semiconductor |
418664 | FMBS5551 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
418665 | FMBSA06 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
418666 | FMBSA56 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
418667 | FMBT3904 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Formosa MS |
418668 | FMBT3906 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Formosa MS |
418669 | FMC-26U | Диоды выпрямителя тока Ультра-Быстр-Spaseni4
(600 к 1000V) | Sanken |
418670 | FMC-26UA | Диоды выпрямителя тока Ультра-Быстр-Spaseni4
(1200V и над) | Sanken |
418671 | FMC-28U | Диоды выпрямителя тока Ультра-Быстр-Spaseni4
(600 к 1000V) | Sanken |
418672 | FMC-28UA | Диоды выпрямителя тока Ультра-Быстр-Spaseni4
(1200V и над) | Sanken |
418673 | FMC-G28S | Диоды выпрямителя тока Ультра-Быстр-Spaseni4
(600 к 1000V) | Sanken |
418674 | FMC-G28SL | Диоды выпрямителя тока Ультра-Быстр-Spaseni4
(600 к 1000V) | Sanken |
418675 | FMC1819C6-02 | Модули GaAs Силы К-Polosy | Fujitsu Microelectronics |
418676 | FMC1819LN-02 | Модули GaAs Силы К-Polosy | Fujitsu Microelectronics |
418677 | FMC1819P1-01 | Модули GaAs Силы К-Polosy | Fujitsu Microelectronics |
418678 | FMC2 | Эпитаксиальные Плоскостные Удваивают
Мини-Otlivaht Транзистор В форму Кремния PNP/NPN | ROHM |
418679 | FMC2 | Эпитаксиальные Плоскостные Удваивают
Мини-Otlivaht Транзистор В форму Кремния PNP/NPN | ROHM |
418680 | FMC2122C6-03 | Модули GaAs Силы К-Tavra Ku | Fujitsu Microelectronics |
| | | |