| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 418641 | FMB3906_NL | PNP Multi-Span Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418642 | FMB3946 | NPN U. PNP Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418643 | FMB5551 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418644 | FMB5551_NL | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418645 | FMB857B | 256Mb F-sterben DDR SDRAM Spezifikation | Samsung Electronic |
| 418646 | FMB857B | 256Mb F-sterben DDR SDRAM Spezifikation | Samsung Electronic |
| 418647 | FMB857B | 256Mb F-sterben DDR SDRAM Spezifikation | Samsung Electronic |
| 418648 | FMBA06 | NPN Multi-Span Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418649 | FMBA0656 | NPN U. PNP Ergänzende Doppeltransistor SuperSOT- 6 Oberflächeneinfassung Paket | Fairchild Semiconductor |
| 418650 | FMBA14 | NPN Multi-Span Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 418651 | FMBA56 | PNP Multi-Span Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418652 | FMBB4148 | 200 mW EPITAXIAL- PLANARE DIODEN | etc |
| 418653 | FMBB4148 | 200 mW EPITAXIAL- PLANARE DIODEN | etc |
| 418654 | FMBB4148 | 200 mW EPITAXIAL- PLANARE DIODEN | etc |
| 418655 | FMBL1G200US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 418656 | FMBL1G300US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 418657 | FMBM5401 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418658 | FMBM5401_SB74001 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418659 | FMBM5551 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418660 | FMBM5551_SB16001 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418661 | FMBS2383 | NPN Epitaxial Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 418662 | FMBS5401 | PNP Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418663 | FMBS549 | PNP Niedriger Sättigung Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 418664 | FMBS5551 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418665 | FMBSA06 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418666 | FMBSA56 | PNP Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 418667 | FMBT3904 | NPN EPITAXIAL- PLANARER TRANSISTOR | Formosa MS |
| 418668 | FMBT3906 | PNP EPITAXIAL- PLANARER TRANSISTOR | Formosa MS |
| 418669 | FMC-26U | Ultra-Schnell-Wiederaufnahme Gleichrichterdioden (600 zu 1000V) | Sanken |
| 418670 | FMC-26UA | Ultra-Schnell-Wiederaufnahme Gleichrichterdioden (1200V und Überschuß) | Sanken |
| 418671 | FMC-28U | Ultra-Schnell-Wiederaufnahme Gleichrichterdioden (600 zu 1000V) | Sanken |
| 418672 | FMC-28UA | Ultra-Schnell-Wiederaufnahme Gleichrichterdioden (1200V und Überschuß) | Sanken |
| 418673 | FMC-G28S | Ultra-Schnell-Wiederaufnahme Gleichrichterdioden (600 zu 1000V) | Sanken |
| 418674 | FMC-G28SL | Ultra-Schnell-Wiederaufnahme Gleichrichterdioden (600 zu 1000V) | Sanken |
| 418675 | FMC1819C6-02 | K-Band Energie GaAs Module | Fujitsu Microelectronics |
| 418676 | FMC1819LN-02 | K-Band Energie GaAs Module | Fujitsu Microelectronics |
| 418677 | FMC1819P1-01 | K-Band Energie GaAs Module | Fujitsu Microelectronics |
| 418678 | FMC2 | Epitaxial- Planare Verdoppeln Mini-Formen PNP/NPN Silikon-Transistor | ROHM |
| 418679 | FMC2 | Epitaxial- Planare Verdoppeln Mini-Formen PNP/NPN Silikon-Transistor | ROHM |
| 418680 | FMC2122C6-03 | Ku K-Marke Energie GaAs Module | Fujitsu Microelectronics |
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