Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
418641 | FMB3906_NL | Amplificador De los Fines generales De la Multi-Viruta de PNP | Fairchild Semiconductor |
418642 | FMB3946 | Amplificador De los Fines generales de NPN Y de PNP | Fairchild Semiconductor |
418643 | FMB5551 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
418644 | FMB5551_NL | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
418645 | FMB857B | 256Mb F-mueren La Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
418646 | FMB857B | 256Mb F-mueren La Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
418647 | FMB857B | 256Mb F-mueren La Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
418648 | FMBA06 | Amplificador De los Fines generales De la Multi-Viruta de NPN | Fairchild Semiconductor |
418649 | FMBA0656 | Paquete Superficial Del Montaje De SuperSOT- 6 Duales Complementarios Del Transistor de NPN Y de PNP | Fairchild Semiconductor |
418650 | FMBA14 | Transistor De Darlington De la Multi-Viruta de NPN | Fairchild Semiconductor |
418651 | FMBA56 | Amplificador De los Fines generales De la Multi-Viruta de PNP | Fairchild Semiconductor |
418652 | FMBB4148 | 200 DIODOS PLANAR EPITAXIAL del mW | etc |
418653 | FMBB4148 | 200 DIODOS PLANAR EPITAXIAL del mW | etc |
418654 | FMBB4148 | 200 DIODOS PLANAR EPITAXIAL del mW | etc |
418655 | FMBL1G200US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
418656 | FMBL1G300US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
418657 | FMBM5401 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
418658 | FMBM5401_SB74001 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
418659 | FMBM5551 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
418660 | FMBM5551_SB16001 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
418661 | FMBS2383 | NPN epitaxial transistor del silicio | Fairchild Semiconductor |
418662 | FMBS5401 | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
418663 | FMBS549 | Transistor Bajo De la Saturación de PNP | Fairchild Semiconductor |
418664 | FMBS5551 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
418665 | FMBSA06 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
418666 | FMBSA56 | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
418667 | FMBT3904 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE NPN | Formosa MS |
418668 | FMBT3906 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE PNP | Formosa MS |
418669 | FMC-26U | Diodos de rectificador de la Ultra-Ra'pido-Recuperacio'n (600 a 1000V) | Sanken |
418670 | FMC-26UA | Diodos de rectificador de la Ultra-Ra'pido-Recuperacio'n (1200V y excedente) | Sanken |
418671 | FMC-28U | Diodos de rectificador de la Ultra-Ra'pido-Recuperacio'n (600 a 1000V) | Sanken |
418672 | FMC-28UA | Diodos de rectificador de la Ultra-Ra'pido-Recuperacio'n (1200V y excedente) | Sanken |
418673 | FMC-G28S | Diodos de rectificador de la Ultra-Ra'pido-Recuperacio'n (600 a 1000V) | Sanken |
418674 | FMC-G28SL | Diodos de rectificador de la Ultra-Ra'pido-Recuperacio'n (600 a 1000V) | Sanken |
418675 | FMC1819C6-02 | Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Venda | Fujitsu Microelectronics |
418676 | FMC1819LN-02 | Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Venda | Fujitsu Microelectronics |
418677 | FMC1819P1-01 | Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Venda | Fujitsu Microelectronics |
418678 | FMC2 | Planar Epitaxial Se doblan Mini-Moldean El Transistor Del Silicio de PNP/NPN | ROHM |
418679 | FMC2 | Planar Epitaxial Se doblan Mini-Moldean El Transistor Del Silicio de PNP/NPN | ROHM |
418680 | FMC2122C6-03 | Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De Ku | Fujitsu Microelectronics |
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