|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1136 | 1137 | 1138 | 1139 | 1140 | 1141 | 1142 | 1143 | 1144 | 1145 | 1146 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
456012N3772ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ NPNST Microelectronics
456022N3772Блок транзистора NPN, высокочастотные применения от dc к 500MHzMicrosemi
456032N3772ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ NPNSGS Thomson Microelectronics
456042N3772ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ NPNSGS Thomson Microelectronics
456052N3772СИЛА TRANSISTORS(150W)MOSPEC Semiconductor
456062N3772ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ NPNBoca Semiconductor Corporation
456072N3772DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO NPN ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC)Wing Shing Computer Components
456082N3772Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
456092N3772Сила 20A 60V Дискретное NPNON Semiconductor
456102N3772150.000W питания NPN Металл Может транзистора. 60V VCEO, 20.000A Ic, 15 - 60 HFE.Continental Device India Limited
456112N3772100 В, 30 А, 150 Вт, кремния NPN транзистор мощностиTexas Instruments
456122N3773СИЛА TRANSISTORS(16ЈA, 140v, 150w)MOSPEC Semiconductor
456132N3773КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯBoca Semiconductor Corporation
456142N3773DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO NPN ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC)Wing Shing Computer Components
456152N3773Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
456162N3773Сила 16ЈA 140V Дискретное NPNON Semiconductor
456172N3773150.000W питания NPN Металл Может транзистора. 140В VCEO, 16.000A Ic, 5 HFE.Continental Device India Limited
456182N3773Высокое напряжение, высокая транзистор питания. 160В, 150Вт.General Electric Solid State
456192N3773Высокая мощность NPN-транзистор. Высокая аудио мощность и линейные приложения. VCEO = 140Vdc, Vcer = 150Vdc, Vcb = 160Vdc, Вэб = 7Vdc, Ic = 16Adc, Ib = 4Adc, PD = 150 Вт.USHA India LTD
456202N3773-DКомплементарные Транзисторы Силы КремнияON Semiconductor
456212N3773ARNPN кремния мощный транзистор. 16Amp, 140В, 150Watt. Высокая мощность аудио, диск головные устройства позиционирования и других линейных прUSHA India LTD
456222N3789СИЛА TRANSISTORS(10A, 150w)MOSPEC Semiconductor
456232N3789ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPBoca Semiconductor Corporation
456242N3789Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
456252N378980V Эпитаксиальное-база NPN-PNPComset Semiconductors
456262N3789Чип: геометрия 0220; Полярность NPNSemicoa Semiconductor
456272N3790ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPBoca Semiconductor Corporation
456282N3790Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
456292N3790ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ: ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ УСИЛИТЕЛЬ И ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ LOW-FREQUENCYMOSPEC Semiconductor
456302N3790100V Эпитаксиальное-база NPN-PNPComset Semiconductors
456312N3791Транзисторы PNPMicrosemi
456322N3791ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPBoca Semiconductor Corporation
456332N3791Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
456342N3791ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ: ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ УСИЛИТЕЛЬ И ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ LOW-FREQUENCYMOSPEC Semiconductor
456352N379180V Эпитаксиальное-база NPN-PNPComset Semiconductors
456362N3791Кремния PNP эпитаксиальный-база высокая мощность транзистор. -60V, 150W.General Electric Solid State
456372N3791-60 V, -10 С, 150 Вт, PNP кремния мощный транзисторTexas Instruments
456382N3792Транзисторы PNPMicrosemi
456392N3792СИЛА TRANSISTORS(10A, 150w)MOSPEC Semiconductor
456402N3792ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPBoca Semiconductor Corporation
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1136 | 1137 | 1138 | 1139 | 1140 | 1141 | 1142 | 1143 | 1144 | 1145 | 1146 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com