Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
45601 | 2N3772 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ NPN | ST Microelectronics |
45602 | 2N3772 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
45603 | 2N3772 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
45604 | 2N3772 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
45605 | 2N3772 | СИЛА TRANSISTORS(150W) | MOSPEC Semiconductor |
45606 | 2N3772 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ NPN | Boca Semiconductor Corporation |
45607 | 2N3772 | DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO
NPN ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC) | Wing Shing Computer Components |
45608 | 2N3772 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
45609 | 2N3772 | Сила 20A 60V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
45610 | 2N3772 | 150.000W питания NPN Металл Может транзистора. 60V VCEO, 20.000A Ic, 15 - 60 HFE. | Continental Device India Limited |
45611 | 2N3772 | 100 В, 30 А, 150 Вт, кремния NPN транзистор мощности | Texas Instruments |
45612 | 2N3773 | СИЛА TRANSISTORS(16ЈA, 140v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
45613 | 2N3773 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Boca Semiconductor Corporation |
45614 | 2N3773 | DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO
NPN ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC) | Wing Shing Computer Components |
45615 | 2N3773 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
45616 | 2N3773 | Сила 16ЈA 140V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
45617 | 2N3773 | 150.000W питания NPN Металл Может транзистора. 140В VCEO, 16.000A Ic, 5 HFE. | Continental Device India Limited |
45618 | 2N3773 | Высокое напряжение, высокая транзистор питания. 160В, 150Вт. | General Electric Solid State |
45619 | 2N3773 | Высокая мощность NPN-транзистор. Высокая аудио мощность и линейные приложения. VCEO = 140Vdc, Vcer = 150Vdc, Vcb = 160Vdc, Вэб = 7Vdc, Ic = 16Adc, Ib = 4Adc, PD = 150 Вт. | USHA India LTD |
45620 | 2N3773-D | Комплементарные Транзисторы Силы Кремния | ON Semiconductor |
45621 | 2N3773AR | NPN кремния мощный транзистор. 16Amp, 140В, 150Watt. Высокая мощность аудио, диск головные устройства позиционирования и других линейных пр | USHA India LTD |
45622 | 2N3789 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
45623 | 2N3789 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | Boca Semiconductor Corporation |
45624 | 2N3789 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
45625 | 2N3789 | 80V Эпитаксиальное-база NPN-PNP | Comset Semiconductors |
45626 | 2N3789 | Чип: геометрия 0220; Полярность NPN | Semicoa Semiconductor |
45627 | 2N3790 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | Boca Semiconductor Corporation |
45628 | 2N3790 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
45629 | 2N3790 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ: ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ УСИЛИТЕЛЬ
И ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ LOW-FREQUENCY | MOSPEC Semiconductor |
45630 | 2N3790 | 100V Эпитаксиальное-база NPN-PNP | Comset Semiconductors |
45631 | 2N3791 | Транзисторы PNP | Microsemi |
45632 | 2N3791 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | Boca Semiconductor Corporation |
45633 | 2N3791 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
45634 | 2N3791 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ: ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ УСИЛИТЕЛЬ
И ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ LOW-FREQUENCY | MOSPEC Semiconductor |
45635 | 2N3791 | 80V Эпитаксиальное-база NPN-PNP | Comset Semiconductors |
45636 | 2N3791 | Кремния PNP эпитаксиальный-база высокая мощность транзистор. -60V, 150W. | General Electric Solid State |
45637 | 2N3791 | -60 V, -10 С, 150 Вт, PNP кремния мощный транзистор | Texas Instruments |
45638 | 2N3792 | Транзисторы PNP | Microsemi |
45639 | 2N3792 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
45640 | 2N3792 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| | | |