| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 45601 | 2N3772 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | ST Microelectronics |
| 45602 | 2N3772 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45603 | 2N3772 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 45604 | 2N3772 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 45605 | 2N3772 | PODER TRANSISTORS(150W) | MOSPEC Semiconductor |
| 45606 | 2N3772 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 45607 | 2N3772 | C.C. PLANAR DO AMPLIFICADOR DE PODER DO SILICONE TRANSISTOR(AUDIO DE NPN AO CONVERSOR DA C.C.) | Wing Shing Computer Components |
| 45608 | 2N3772 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 45609 | 2N3772 | Poder 20A 60V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 45610 | 2N3772 | 150.000W Poder NPN metal pode transistor. 60V VCEO, 20.000A Ic, 15-60 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45611 | 2N3772 | 100 V, 30 A, 150 W, de silício NPN transistor de potência | Texas Instruments |
| 45612 | 2N3773 | PODER TRANSISTORS(16A, 140v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 45613 | 2N3773 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | Boca Semiconductor Corporation |
| 45614 | 2N3773 | C.C. PLANAR DO AMPLIFICADOR DE PODER DO SILICONE TRANSISTOR(AUDIO DE NPN AO CONVERSOR DA C.C.) | Wing Shing Computer Components |
| 45615 | 2N3773 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 45616 | 2N3773 | Poder 16A 140V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 45617 | 2N3773 | 150.000W Poder NPN metal pode transistor. 140V VCEO, 16.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45618 | 2N3773 | De alta tensão, alta transistor de potência. 160V, 150W. | General Electric Solid State |
| 45619 | 2N3773 | Alta potência NPN transistor. Áudio de potência alta e aplicações lineares. VCEO = 140Vdc, Vcer = 150Vdc, Vcb = 160Vdc, o VEB = 7Vdc, Ic = 16Adc, Ib = 4Adc, PD = 150W. | USHA India LTD |
| 45620 | 2N3773-D | Transistor De Poder Complementares Do Silicone | ON Semiconductor |
| 45621 | 2N3773AR | NPN transistor de potência de silício. 16Amp, 140V, 150Watt. O áudio de alta potência, posicionadores de cabeça de disco e outras aplicações lineares. Circuitos de comutação de potência, tais como relé ou motoristas de solenóid | USHA India LTD |
| 45622 | 2N3789 | PODER TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 45623 | 2N3789 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 45624 | 2N3789 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 45625 | 2N3789 | 80V epitaxial-base de NPN-PNP | Comset Semiconductors |
| 45626 | 2N3789 | Chip: geometria 0220; polaridade NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45627 | 2N3790 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 45628 | 2N3790 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 45629 | 2N3790 | TRANSISTOR DE PODER: APLICAÇÃO DO AMPLIFICADOR DA FINALIDADE GERAL E DO SWITCHING DE LOW-FREQUENCY | MOSPEC Semiconductor |
| 45630 | 2N3790 | 100V epitaxial-base de NPN-PNP | Comset Semiconductors |
| 45631 | 2N3791 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45632 | 2N3791 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 45633 | 2N3791 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 45634 | 2N3791 | TRANSISTOR DE PODER: APLICAÇÃO DO AMPLIFICADOR DA FINALIDADE GERAL E DO SWITCHING DE LOW-FREQUENCY | MOSPEC Semiconductor |
| 45635 | 2N3791 | 80V epitaxial-base de NPN-PNP | Comset Semiconductors |
| 45636 | 2N3791 | Silicon PNP epitaxial-base de alta potência transistor. -60V, 150W. | General Electric Solid State |
| 45637 | 2N3791 | -60 V, -10 C, 150 W, potência silicone PNP transistor | Texas Instruments |
| 45638 | 2N3792 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45639 | 2N3792 | PODER TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 45640 | 2N3792 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
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