| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 510161 | HY29LV800T-70 | память вспышки низкого напряжения тока 8 Mbit
(1M x 8/512K x 16) | Hynix Semiconductor |
| 510162 | HY29LV800T-70I | память вспышки низкого напряжения тока 8 Mbit
(1M x 8/512K x 16) | Hynix Semiconductor |
| 510163 | HY29LV800T-90 | память вспышки низкого напряжения тока 8 Mbit
(1M x 8/512K x 16) | Hynix Semiconductor |
| 510164 | HY29LV800T-90I | память вспышки низкого напряжения тока 8 Mbit
(1M x 8/512K x 16) | Hynix Semiconductor |
| 510165 | HY5-P | В настоящее время датчики HY 5 к 25-P/SP1 | LEM |
| 510166 | HY50-P | В настоящее время Датчик HY 50-P | LEM |
| 510167 | HY50-P/SP1 | В настоящее время Датчики, HY 50-P/SP1 | LEM |
| 510168 | HY50P | В настоящее время Датчики, HY 50-P/SP1 | LEM |
| 510169 | HY5100 | 2 Input/3$ Выведите наружу Цифров Лини задержки | Hytek Microsystems |
| 510170 | HY514400A | DRAM 1M x 4-bit cmos | etc |
| 510171 | HY514400AJ | DRAM 1M x 4-bit cmos | etc |
| 510172 | HY514400ALJ | DRAM 1M x 4-bit cmos | etc |
| 510173 | HY514400ALR | DRAM 1M x 4-bit cmos | etc |
| 510174 | HY514400AR | DRAM 1M x 4-bit cmos | etc |
| 510175 | HY514400AT | DRAM 1M x 4-bit cmos | etc |
| 510176 | HY514400B | 1Mx4, быстрый режим страницы | etc |
| 510177 | HY514400BJ | 1Mx4, быстрый режим страницы | etc |
| 510178 | HY514400BLJ | 1Mx4, быстрый режим страницы | etc |
| 510179 | HY514400BLT | 1Mx4, быстрый режим страницы | etc |
| 510180 | HY514400BSLJ | 1Mx4, быстрый режим страницы | etc |
| 510181 | HY514400BSLT | 1Mx4, быстрый режим страницы | etc |
| 510182 | HY514400BT | 1Mx4, быстрый режим страницы | etc |
| 510183 | HY514400J | DRAM 1M x 4-bit cmos | etc |
| 510184 | HY51V17403HGJ-5 | 4194304 слов х 4 бит EDO RAM, 3,3, 50 нс | Hynix Semiconductor |
| 510185 | HY51V17403HGJ-6 | 4194304 слов х 4 бит EDO RAM, 3,3, 60ns | Hynix Semiconductor |
| 510186 | HY51V17403HGJ-7 | 4194304 слов х 4 бит EDO RAM, 3,3, 70 нс | Hynix Semiconductor |
| 510187 | HY51V17403HGLJ-5 | 4194304 слов х 4 бит ОКБ RAM, 3,3, 50 нс, с низким энергопотреблением | Hynix Semiconductor |
| 510188 | HY51V17403HGLJ-6 | 4194304 слов х 4 бит ОКБ RAM, 3,3, 60 нс, с низким энергопотреблением | Hynix Semiconductor |
| 510189 | HY51V17403HGLJ-7 | 4194304 слов х 4 бит ОКБ RAM, 3,3, 70 нс, с низким энергопотреблением | Hynix Semiconductor |
| 510190 | HY51V17403HGLT-5 | 4194304 слов х 4 бит ОКБ RAM, 3,3, 50 нс, с низким энергопотреблением | Hynix Semiconductor |
| 510191 | HY51V17403HGLT-6 | 4194304 слов х 4 бит ОКБ RAM, 3,3, 60 нс, с низким энергопотреблением | Hynix Semiconductor |
| 510192 | HY51V17403HGLT-7 | 4194304 слов х 4 бит ОКБ RAM, 3,3, 70 нс, с низким энергопотреблением | Hynix Semiconductor |
| 510193 | HY51V17403HGT-5 | 4194304 слов х 4 бит EDO RAM, 3,3, 50 нс | Hynix Semiconductor |
| 510194 | HY51V17403HGT-6 | 4194304 слов х 4 бит EDO RAM, 3,3, 60ns | Hynix Semiconductor |
| 510195 | HY51V17403HGT-7 | 4194304 слов х 4 бит EDO RAM, 3,3, 70 нс | Hynix Semiconductor |
| 510196 | HY51V18163HGJ | DRAM 1M x 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 510197 | HY51V18163HGJ-5 | DRAM 1M x 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 510198 | HY51V18163HGJ-6 | DRAM 1M x 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 510199 | HY51V18163HGJ-7 | DRAM 1M x 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 510200 | HY51V18163HGLJ-5 | Динамическое ОЗУ организовано 1048576 слов х 16bit, 50 нс, с низким энергопотреблением | Hynix Semiconductor |
| | | |
