|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |

Часть название, описание или производитель содержать:

Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Информация Найдено :: 1351360

Страница: << | 12755 | 12756 | 12757 | 12758 | 12759 | 12760 | 12761 | 12762 | 12763 | 12764 | 12765 | >>

Номер	Часть Имя	Описание	Производитель
510361	HY57V161610ET-5I	2 крена x 512K x DRAM 16 битов одновременный	Hynix Semiconductor
510362	HY57V161610ET-6	2 крена x 512K x DRAM 16 битов одновременный	Hynix Semiconductor
510363	HY57V161610ET-6I	2 крена x 512K x DRAM 16 битов одновременный	Hynix Semiconductor
510364	HY57V161610ET-7	2 крена x 512K x DRAM 16 битов одновременный	Hynix Semiconductor
510365	HY57V161610ET-7I	2 крена x 512K x DRAM 16 битов одновременный	Hynix Semiconductor
510366	HY57V161610ET-8	2 крена x 512K x DRAM 16 битов одновременный	Hynix Semiconductor
510367	HY57V161610ET-8I	2 крена x 512K x DRAM 16 битов одновременный	Hynix Semiconductor
510368	HY57V161610ET-I	2 крена x 512K x DRAM 16 битов одновременный	Hynix Semiconductor
510369	HY57V161610ETP-10I	2 банки х 512 х 16 бит синхронное DRAM, LVTTL, 100MHz	Hynix Semiconductor
510370	HY57V161610ETP-15I	2 банки х 512 х 16 бит синхронное DRAM, LVTTL, 66MHz	Hynix Semiconductor
510371	HY57V161610ETP-55I	2 банки х 512 х 16 бит синхронное DRAM, LVTTL, 183 МГц	Hynix Semiconductor
510372	HY57V161610ETP-5I	2 банки х 512 х 16 бит синхронное DRAM, LVTTL, 200 МГц	Hynix Semiconductor
510373	HY57V161610ETP-6I	2 банки х 512 х 16 бит синхронное DRAM, LVTTL, 166 МГц	Hynix Semiconductor
510374	HY57V161610ETP-7I	2 банки х 512 х 16 бит синхронное DRAM, LVTTL, 143 МГц	Hynix Semiconductor
510375	HY57V161610ETP-8I	2 банки х 512 х 16 бит синхронное DRAM, LVTTL, 125 МГц	Hynix Semiconductor
510376	HY57V161610ETP-I	2 крена x 512K x DRAM 16 битов одновременный	Hynix Semiconductor
510377	HY57V281620A	4 DRAM кренов x 2M х 16bits одновременный	Hynix Semiconductor
510378	HY57V281620ALT-6	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 166 МГц	Hynix Semiconductor
510379	HY57V281620ALT-7	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 143 МГц	Hynix Semiconductor
510380	HY57V281620ALT-8	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 125МГц	Hynix Semiconductor
510381	HY57V281620ALT-H	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 133	Hynix Semiconductor
510382	HY57V281620ALT-HI	4 DRAM кренов x 2M х 16bits одновременный	Hynix Semiconductor
510383	HY57V281620ALT-K	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 133	Hynix Semiconductor
510384	HY57V281620ALT-KI	4 DRAM кренов x 2M х 16bits одновременный	Hynix Semiconductor
510385	HY57V281620ALT-P	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 100 МГц	Hynix Semiconductor
510386	HY57V281620ALT-PI	4 DRAM кренов x 2M х 16bits одновременный	Hynix Semiconductor
510387	HY57V281620ALT-S	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 100 МГц	Hynix Semiconductor
510388	HY57V281620ALT-SI	4 DRAM кренов x 2M х 16bits одновременный	Hynix Semiconductor
510389	HY57V281620AT-6	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 166 МГц	Hynix Semiconductor
510390	HY57V281620AT-7	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 143 МГц	Hynix Semiconductor
510391	HY57V281620AT-8	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 125МГц	Hynix Semiconductor
510392	HY57V281620AT-H	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 133	Hynix Semiconductor
510393	HY57V281620AT-HI	4 DRAM кренов x 2M х 16bits одновременный	Hynix Semiconductor
510394	HY57V281620AT-K	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 133	Hynix Semiconductor
510395	HY57V281620AT-KI	4 DRAM кренов x 2M х 16bits одновременный	Hynix Semiconductor
510396	HY57V281620AT-P	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 100 МГц	Hynix Semiconductor
510397	HY57V281620AT-PI	4 DRAM кренов x 2M х 16bits одновременный	Hynix Semiconductor
510398	HY57V281620AT-S	128 Мб (4 банки х 2м х 16 бит) синхронное DRAM, LVTTL, 100 МГц	Hynix Semiconductor
510399	HY57V281620AT-SI	4 DRAM кренов x 2M х 16bits одновременный	Hynix Semiconductor
510400	HY57V281620E(L)T(P)-5	SDRAM - 128Mb	Hynix Semiconductor

Информация Найдено :: 1351360

Страница: << | 12755 | 12756 | 12757 | 12758 | 12759 | 12760 | 12761 | 12762 | 12763 | 12764 | 12765 | >>

© 2024 - www.DatasheetCatalog.com