| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 56281 | 2SC5450 | Горизонтальные Транзисторы Переключения Отклонения | SANYO |
| 56282 | 2SC5451 | Горизонтальные Транзисторы Переключения Отклонения | SANYO |
| 56283 | 2SC5452 | Горизонтальные Транзисторы Переключения Отклонения | SANYO |
| 56284 | 2SC5453 | Горизонтальные Транзисторы Переключения Отклонения | SANYO |
| 56285 | 2SC5454 | 4-WTYRE1 ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ NPN ПРЕССФОРМА
ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ МИНИАЯ | NEC |
| 56286 | 2SC5455 | 4-WTYRE1 ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ NPN ПРЕССФОРМА
ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ МИНИАЯ | NEC |
| 56287 | 2SC5457 | Type(For диффузии кремния NPN переключение
скорости напряжения тока нервного расстройства втройне плоскостного
высокое высокое) | Panasonic |
| 56288 | 2SC5458 | Регулятор переключения типа кремния NPN
транзистора втройне отраженный и переключение высокого напряжения,
конвертер DC-DC, применения инвертора DC-AC | TOSHIBA |
| 56289 | 2SC5459 | Регулятор переключения типа кремния NPN
транзистора втройне отраженный и переключение высокого напряжения,
конвертер DC-DC, применения конвертера DC-AC | TOSHIBA |
| 56290 | 2SC5460 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ.
ДИНАМИЧЕСКИЕ ПРИМЕНЕНИЯ ФОКУСА. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ
ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ
УСИЛИТЕЛЯ. | TOSHIBA |
| 56291 | 2SC5463 | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 56292 | 2SC5464 | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 56293 | 2SC5464FT | ПОЛОСЫ ТИПА VHF~UHF КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ НИЗКИЕ | TOSHIBA |
| 56294 | 2SC5465 | Регулятор переключения типа кремния NPN
транзистора втройне отраженный и применения конвертера применений
высокоскоростные DC-DC переключения высокого напряжения | TOSHIBA |
| 56295 | 2SC5466 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ.
ДИНАМИЧЕСКИЙ ФОКУС, ВЫСОКОВОЛЬТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРИМЕНЕНИЯ
УСИЛИТЕЛЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ. | TOSHIBA |
| 56296 | 2SC5468 | ЭТАП ВЫХОДА ТИПА КРЕМНИЯ NPN EPITAXILA
ТРАНЗИСТОРА (ПРОЦЕССА PCT) ВИДЕО- В HIGH RESOLUTION
ИНДИКАЦИИ | TOSHIBA |
| 56297 | 2SC5470 | ВЫХОД ОТКЛОНЕНИЯ ИНДИКАЦИИ ХАРАКТЕРА КРЕМНИЯ NPN
ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ | Hitachi Semiconductor |
| 56298 | 2SC5470 | ВЫХОД ОТКЛОНЕНИЯ ИНДИКАЦИИ ХАРАКТЕРА КРЕМНИЯ NPN
ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ | Hitachi Semiconductor |
| 56299 | 2SC5472 | Type(For planer кремния NPN колебание
эпитаксиального low-voltage малошумное высокочастотное) | Panasonic |
| 56300 | 2SC5473 | Type(For planer кремния NPN колебание
эпитаксиального low-voltage малошумное высокочастотное) | Panasonic |
| 56301 | 2SC5474 | Type(For planer кремния NPN колебание
эпитаксиального low-voltage малошумное высокочастотное) | Panasonic |
| 56302 | 2SC5476 | Транзисторы Darlington - транзистор
Darlington кремния NPN для вообще применений af | SANYO |
| 56303 | 2SC5477 | 150mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 20V VCEO, 50мА Ic, от 50 до (тип) 148 HFE. Высокая частота усиления | Isahaya Electronics Corporation |
| 56304 | 2SC5478 | Type(For мезы диффузии кремния NPN ое
отклонение втройне горизонтальное) | Panasonic |
| 56305 | 2SC5480 | Выход Отклонения Кремния NPN Втройне Отраженный
Horizntal | Hitachi Semiconductor |
| 56306 | 2SC5480 | Выход Отклонения Кремния NPN Втройне Отраженный
Horizntal | Hitachi Semiconductor |
| 56307 | 2SC5482 | ДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ
NPN APPRICATION ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ МИКРО- | Isahaya Electronics Corporation |
| 56308 | 2SC5482 | ДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ
NPN APPRICATION ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ МИКРО- | Isahaya Electronics Corporation |
| 56309 | 2SC5484 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56310 | 2SC5484 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56311 | 2SC5485 | ДЛЯ ВЫСОКОГО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ
NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИКРО- | Isahaya Electronics Corporation |
| 56312 | 2SC5485 | ДЛЯ ВЫСОКОГО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ
NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИКРО- | Isahaya Electronics Corporation |
| 56313 | 2SC5486 | 600 мВт Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 10В VCEO, 5А Ic, от 230 до 600 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56314 | 2SC5488 | Vhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный
плоскостной к применениям усилителя UHF Низк-Wuma
широкополосным | SANYO |
| 56315 | 2SC5488A | РФ транзистор, 10В, 70 мА, FT = 7GHz, NPN Одноместный SSFP | ON Semiconductor |
| 56316 | 2SC5489 | Vhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный
плоскостной к применениям усилителя UHF Низк-Wuma
широкополосным | SANYO |
| 56317 | 2SC5490 | Uhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный
плоскостной к применениям усилителя Низк-Wuma полосы с | SANYO |
| 56318 | 2SC5497 | Нового изделие Rf | TOSHIBA |
| 56319 | 2SC5501 | Vhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный
плоскостной к применениям усилителя UHF Низк-Wuma
широкополосным | SANYO |
| 56320 | 2SC5502 | Применения Усилителя Низк-Wuma Высок-Castoty
Транзистора Кремния NPN Эпитаксиальные Плоскостные | SANYO |
| | | |
