| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 56281 | 2SC5450 | Horizontale Ablenkung Schaltung Transistoren | SANYO |
| 56282 | 2SC5451 | Horizontale Ablenkung Schaltung Transistoren | SANYO |
| 56283 | 2SC5452 | Horizontale Ablenkung Schaltung Transistoren | SANYO |
| 56284 | 2SC5453 | Horizontale Ablenkung Schaltung Transistoren | SANYO |
| 56285 | 2SC5454 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR 4-STIFTE MINIFORM | NEC |
| 56286 | 2SC5455 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR 4-STIFTE MINIFORM | NEC |
| 56287 | 2SC5457 | Durchbruchsspannungschnellschaltung dreifaches type(For Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN planares hohe) | Panasonic |
| 56288 | 2SC5458 | Dreifache zerstreute Art getastetes Netzteil des Transistor-Silikon-NPN und Hochspannung-Schaltung, DC-DC Konverter, DC-AC Inverter-Anwendungen | TOSHIBA |
| 56289 | 2SC5459 | Dreifache zerstreute Art getastetes Netzteil des Transistor-Silikon-NPN und Hochspannung-Schaltung, DC-DC Konverter, DC-AC Konverter-Anwendungen | TOSHIBA |
| 56290 | 2SC5460 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. DYNAMISCHE FOKUS-ANWENDUNGEN. HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG ANWENDUNGEN. HOCHSPANNUNGSVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 56291 | 2SC5463 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
| 56292 | 2SC5464 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
| 56293 | 2SC5464FT | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 56294 | 2SC5465 | Dreifache zerstreute Art getastetes Netzteil des Transistor-Silikon-NPN und Hochspannung-Schaltung Anwendungen Schnell-DC-DC Konverter-Anwendungen | TOSHIBA |
| 56295 | 2SC5466 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. DYNAMISCHER FOKUS, HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG UND HOCHSPANNUNG-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 56296 | 2SC5468 | ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN EPITAXILA (PCT PROZESS) VIDEOCOUTPUT-STADIUM IN DER HOHEN AUFLÖSUNG ANZEIGE | TOSHIBA |
| 56297 | 2SC5470 | BUCHSTABE ANZEIGE HORIZONTALES ABLENKUNG OUTPUT DES SILIKON-NPN DREIFACHES ZERSTREUTES | Hitachi Semiconductor |
| 56298 | 2SC5470 | BUCHSTABE ANZEIGE HORIZONTALES ABLENKUNG OUTPUT DES SILIKON-NPN DREIFACHES ZERSTREUTES | Hitachi Semiconductor |
| 56299 | 2SC5472 | Silikon NPN Epitaxial- Planer type(For lärmarme Hochfrequenzschwachstrompendelbewegung) | Panasonic |
| 56300 | 2SC5473 | Silikon NPN Epitaxial- Planer type(For lärmarme Hochfrequenzschwachstrompendelbewegung) | Panasonic |
| 56301 | 2SC5474 | Silikon NPN Epitaxial- Planer type(For lärmarme Hochfrequenzschwachstrompendelbewegung) | Panasonic |
| 56302 | 2SC5476 | Darlington Transistoren | SANYO |
| 56303 | 2SC5477 | 150mW SMD NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 20V Vceo, 50mA Ic, 50 bis (typ) 148 hFE. Hochfrequenzverstärkungs | Isahaya Electronics Corporation |
| 56304 | 2SC5478 | Type(For MESA Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN dreifaches horizontale Ablenkung ausgegeben) | Panasonic |
| 56305 | 2SC5480 | Dreifacher Zerstreuter Horizntal Ablenkung Ausgang Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56306 | 2SC5480 | Dreifacher Zerstreuter Horizntal Ablenkung Ausgang Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56307 | 2SC5482 | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- MIKRO DIE ART DES APPRICATION SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56308 | 2SC5482 | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- MIKRO DIE ART DES APPRICATION SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56309 | 2SC5484 | TRANSISTOR DES SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56310 | 2SC5484 | TRANSISTOR DES SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56311 | 2SC5485 | FÜR DIE HOHE GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-NPN MIKRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56312 | 2SC5485 | FÜR DIE HOHE GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-NPN MIKRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56313 | 2SC5486 | 600mW Bleirahmen NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 10V Vceo, 5A Ic, 230-600 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56314 | 2SC5488 | NPN Epitaxial- planares Silikon-Transistor VHF UHF Niedrig-Geräusche zu den Breitbandverstärker-Anwendungen | SANYO |
| 56315 | 2SC5488A | HF-Transistor, 10 V, 70 mA, fT = 7GHz, NPN Einzel SSFP | ON Semiconductor |
| 56316 | 2SC5489 | NPN Epitaxial- planares Silikon-Transistor VHF UHF Niedrig-Geräusche zu den Breitbandverstärker-Anwendungen | SANYO |
| 56317 | 2SC5490 | NPN Epitaxial- planares Silikon-Transistor UHF zu den S Band Niedrig-Geräusche Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 56318 | 2SC5497 | Rf Neue Produkte | TOSHIBA |
| 56319 | 2SC5501 | NPN Epitaxial- planares Silikon-Transistor VHF UHF Niedrig-Geräusche zu den Breitbandverstärker-Anwendungen | SANYO |
| 56320 | 2SC5502 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor Hoch-Frequenz Niedrig-Geräusche Verstärker-Anwendungen | SANYO |
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