Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
56401 | 2SC5611 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Schnellschaltung 60V/5A Anwendungen | SANYO |
56402 | 2SC5612 | OUTPUT DREIFACHE ZERSTREUTE MESA ART HORIZONTALE ABLENKUNG DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN FÜR FARBE FERNSEHAPPARAT | TOSHIBA |
56403 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
56404 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
56405 | 2SC5620 | Für Niederfrequenz Verstärken Sie Anwendung Sillcon Npn Epitaxial- Art | Isahaya Electronics Corporation |
56406 | 2SC5620 | Für Niederfrequenz Verstärken Sie Anwendung Sillcon Npn Epitaxial- Art | Isahaya Electronics Corporation |
56407 | 2SC5621 | FÜR HOCHFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
56408 | 2SC5621 | FÜR HOCHFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
56409 | 2SC5622 | Type(For MESA Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN dreifaches horizontale Ablenkung ausgegeben) | Panasonic |
56410 | 2SC5623 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
56411 | 2SC5623 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56412 | 2SC5624 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
56413 | 2SC5624 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56414 | 2SC5625 | SILIKON EPITAXIAL- | Isahaya Electronics Corporation |
56415 | 2SC5625 | SILIKON EPITAXIAL- | Isahaya Electronics Corporation |
56416 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
56417 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
56418 | 2SC5628 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
56419 | 2SC5628 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56420 | 2SC5629 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
56421 | 2SC5631 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
56422 | 2SC5631 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56423 | 2SC5632 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz Verstärker und andere | Panasonic |
56424 | 2SC5632G | Silikon-NPN Epitaxial- planare Art | Panasonic |
56425 | 2SC5636 | FÜR HOCHFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
56426 | 2SC5636 | FÜR HOCHFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
56427 | 2SC5637 | Horizontale Ablenkung Schaltung Transistoren | SANYO |
56428 | 2SC5638 | Horizontale Ablenkung Schaltung Transistoren | SANYO |
56429 | 2SC5639 | Horizontale Ablenkung Schaltung Transistoren | SANYO |
56430 | 2SC5645 | NPN Epitaxial- planares Silikon-Transistor UHF zum S Band Niedrig-Geräusche Verstärker und ZU DEN OSZILLATOR Anwendungen | SANYO |
56431 | 2SC5646 | NPN Epitaxial- planares Silikon-Transistor UHF zu den S Band Niedrig-Geräusche Verstärker andOSC Anwendungen | SANYO |
56432 | 2SC5647 | Ultrahoch-Frequenz Transistoren | SANYO |
56433 | 2SC5648 | Ultrahoch-Frequenz Transistoren | SANYO |
56434 | 2SC5654 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
56435 | 2SC5654G | Silikon-NPN Epitaxial- planare Art | Panasonic |
56436 | 2SC5657 | Silikon-NPN dreifache Diffusions Mesatyp | Panasonic |
56437 | 2SC5658 | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
56438 | 2SC5658-HF | Halogenfreie Transistor, V CBO = 60V, V CEO = 50V, V EBO = 7V, I C = 150mA | Comchip Technology |
56439 | 2SC5658M3 | NPN-Transistor General Purpose Amplifier | ON Semiconductor |
56440 | 2SC5659 | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
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