Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
56401 | 2SC5611 | Transistores Planar Epitaxial 60V Del Silicio de NPN/Usos De alta velocidad De la Conmutación De Ä | SANYO |
56402 | 2SC5612 | LA DESVIACIÓN HORIZONTAL DIFUNDIDA TRIPLE DEL TIPO DEL MESA DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR HIZO SALIR PARA EL COLOR TV | TOSHIBA |
56403 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
56404 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
56405 | 2SC5620 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial DeSillcon Npn Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
56406 | 2SC5620 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial DeSillcon Npn Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
56407 | 2SC5621 | PARA EL DE ALTA FRECUENCIA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIALDEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
56408 | 2SC5621 | PARA EL DE ALTA FRECUENCIA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIALDEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
56409 | 2SC5622 | Desviación horizontal de la difusión del silicio NPN del type(For triple del mesa hecha salir) | Panasonic |
56410 | 2SC5623 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
56411 | 2SC5623 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56412 | 2SC5624 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
56413 | 2SC5624 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56414 | 2SC5625 | SILICIO EPITAXIAL | Isahaya Electronics Corporation |
56415 | 2SC5625 | SILICIO EPITAXIAL | Isahaya Electronics Corporation |
56416 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
56417 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
56418 | 2SC5628 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
56419 | 2SC5628 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56420 | 2SC5629 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
56421 | 2SC5631 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
56422 | 2SC5631 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56423 | 2SC5632 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - amplificadores de alta frecuencia y otros | Panasonic |
56424 | 2SC5632G | Silicio NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
56425 | 2SC5636 | PARA EL DE ALTA FRECUENCIA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIALDEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
56426 | 2SC5636 | PARA EL DE ALTA FRECUENCIA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIALDEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
56427 | 2SC5637 | Transistores Horizontales De la Conmutación De la Desviación | SANYO |
56428 | 2SC5638 | Transistores Horizontales De la Conmutación De la Desviación | SANYO |
56429 | 2SC5639 | Transistores Horizontales De la Conmutación De la Desviación | SANYO |
56430 | 2SC5645 | Frecuencia ultraelevada planar epitaxial del transistor del silicio de NPN al amplificador de poco ruido de la venda de S y a los usos del OSCILADOR | SANYO |
56431 | 2SC5646 | Frecuencia ultraelevada planar epitaxial del transistor del silicio de NPN a los usos de poco ruido del andOSC del amplificador de la venda de S | SANYO |
56432 | 2SC5647 | Transistores De la Ultraalto-Frecuencia | SANYO |
56433 | 2SC5648 | Transistores De la Ultraalto-Frecuencia | SANYO |
56434 | 2SC5654 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
56435 | 2SC5654G | Silicio NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
56436 | 2SC5657 | Silicio NPN difusión triple tipo mesa | Panasonic |
56437 | 2SC5658 | > de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
56438 | 2SC5658-HF | Libre de halógenos Transistor, V CBO = 60V, V CEO = 50V, V EBO = 7V, yo C = 150 mA | Comchip Technology |
56439 | 2SC5658M3 | Propósito general Amplificador de transistor NPN | ON Semiconductor |
56440 | 2SC5659 | > de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
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