Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
56401 | 2SC5611 | Do Switching 60V/5A Planar Epitaxial Dos Transistor Do Silicone de NPN Aplicações De alta velocidade | SANYO |
56402 | 2SC5612 | O TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DEFLEXÃO HORIZONTAL DO MESA DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR OUTPUT PARA A TEVÊ DA COR | TOSHIBA |
56403 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
56404 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
56405 | 2SC5620 | Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial De Sillcon Npn Da Aplicação | Isahaya Electronics Corporation |
56406 | 2SC5620 | Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial De Sillcon Npn Da Aplicação | Isahaya Electronics Corporation |
56407 | 2SC5621 | PARA A ALTA FREQÜÊNCIA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DOSILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
56408 | 2SC5621 | PARA A ALTA FREQÜÊNCIA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DOSILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
56409 | 2SC5622 | Do type(For triplo do mesa da difusão do silicone NPN deflexão horizontal output) | Panasonic |
56410 | 2SC5623 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
56411 | 2SC5623 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56412 | 2SC5624 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
56413 | 2SC5624 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56414 | 2SC5625 | SILICONE EPITAXIAL | Isahaya Electronics Corporation |
56415 | 2SC5625 | SILICONE EPITAXIAL | Isahaya Electronics Corporation |
56416 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
56417 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
56418 | 2SC5628 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
56419 | 2SC5628 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56420 | 2SC5629 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
56421 | 2SC5631 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
56422 | 2SC5631 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56423 | 2SC5632 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - amplificadores e outros da Elevado-Freqüência | Panasonic |
56424 | 2SC5632G | Silicon NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
56425 | 2SC5636 | PARA A ALTA FREQÜÊNCIA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DOSILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
56426 | 2SC5636 | PARA A ALTA FREQÜÊNCIA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DOSILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
56427 | 2SC5637 | Transistor Horizontais Do Switching Da Deflexão | SANYO |
56428 | 2SC5638 | Transistor Horizontais Do Switching Da Deflexão | SANYO |
56429 | 2SC5639 | Transistor Horizontais Do Switching Da Deflexão | SANYO |
56430 | 2SC5645 | Frequência ultraelevada planar epitaxial do transistor do silicone de NPN ao amplificador do Baixo-Ruído da faixa de S e às aplicações do OSCILADOR | SANYO |
56431 | 2SC5646 | Frequência ultraelevada planar epitaxial do transistor do silicone de NPN às aplicações do andOSC do amplificador do Baixo-Ruído da faixa de S | SANYO |
56432 | 2SC5647 | Transistor Da Ultrahigh-Freqüência | SANYO |
56433 | 2SC5648 | Transistor Da Ultrahigh-Freqüência | SANYO |
56434 | 2SC5654 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
56435 | 2SC5654G | Silicon NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
56436 | 2SC5657 | Silicon NPN difusão tripla mesa-tipo | Panasonic |
56437 | 2SC5658 | Transistor > sinal pequeno Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
56438 | 2SC5658-HF | Halogênio Transistor, V CBO = 60V, V CEO = 50V, V EBO = 7V, I C = 150mA | Comchip Technology |
56439 | 2SC5658M3 | NPN General Purpose Amplifier Transistor | ON Semiconductor |
56440 | 2SC5659 | Transistor > sinal pequeno Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
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