Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
567681 | IRF330-333 | MOSFETs/ 5.5ЈA/ 350 V/400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567682 | IRF3305 | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567683 | IRF331 | MOSFETs/ 5.5ЈA/ 350 V/400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567684 | IRF331 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567685 | IRF331 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 350В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
567686 | IRF331 | 4.5A и 5.5A, 350В и 400В, 1,0 и 1,5 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
567687 | IRF3315 | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567688 | IRF3315L | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
567689 | IRF3315PBF | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567690 | IRF3315S | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567691 | IRF3315STRL | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567692 | IRF3315STRR | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567693 | IRF332 | MOSFETs/ 5.5ЈA/ 350 V/400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567694 | IRF332 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567695 | IRF332 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 400В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
567696 | IRF332 | 4.5A и 5.5A, 350В и 400В, 1,0 и 1,5 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
567697 | IRF333 | MOSFETs/ 5.5ЈA/ 350 V/400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567698 | IRF333 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567699 | IRF333 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 350В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
567700 | IRF333 | 4.5A и 5.5A, 350В и 400В, 1,0 и 1,5 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
567701 | IRF340 | 400V определяют mosfet Н-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAA | International Rectifier |
567702 | IRF340 | MOSFETs/ 10A/ 350V/400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567703 | IRF340 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567704 | IRF340 | 10А и 8.3A, 400В и 350В, 0,55 и 0,80 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
567705 | IRF340-343 | MOSFETs/ 10A/ 350V/400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567706 | IRF341 | MOSFETs/ 10A/ 350V/400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567707 | IRF341 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567708 | IRF3415 | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567709 | IRF3415L | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
567710 | IRF3415LPBF | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
567711 | IRF3415PBF | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567712 | IRF3415S | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567713 | IRF3415SPBF | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567714 | IRF3415STRL | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567715 | IRF3415STRR | 150V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567716 | IRF341IRF342 | 10А и 8.3A, 400В и 350В, 0,55 и 0,80 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
567717 | IRF342 | MOSFETs/ 10A/ 350V/400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567718 | IRF342 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567719 | IRF343 | MOSFETs/ 10A/ 350V/400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567720 | IRF343 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| | | |