Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
567601 | IRF250 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | SemeLAB |
567602 | IRF250 | 30A/ 200V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.085 Омов | Intersil |
567603 | IRF250 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567604 | IRF250 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
567605 | IRF250SMD | MOSFET СИЛЫ N.CHANNEL | SemeLAB |
567606 | IRF251 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567607 | IRF251 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
567608 | IRF251 | 25A и 30A, 150V и 200V, 0,085 и 0,120 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
567609 | IRF252 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567610 | IRF252 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
567611 | IRF252 | 25A и 30A, 150V и 200V, 0,085 и 0,120 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
567612 | IRF253 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567613 | IRF253 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
567614 | IRF253 | 25A и 30A, 150V и 200V, 0,085 и 0,120 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
567615 | IRF2804 | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567616 | IRF2804L | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
567617 | IRF2804S | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567618 | IRF2804S-7P | АВТОМОБИЛЬНЫЙ MOSFET | International Rectifier |
567619 | IRF2805 | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567620 | IRF2805L | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
567621 | IRF2805S | те PIC16F877A. Это мощное (исполнение
инструкции 200 наносекунд) но легк-к-programma...<> | International Rectifier |
567622 | IRF2807 | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567623 | IRF2807L | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
567624 | IRF2807PBF | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567625 | IRF2807S | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567626 | IRF2807STRL | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567627 | IRF2807STRL-111 | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567628 | IRF2807STRR | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567629 | IRF2807Z | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567630 | IRF2807ZL | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
567631 | IRF2807ZS | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2Pak | International Rectifier |
567632 | IRF2907S | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567633 | IRF2907Z | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567634 | IRF2907ZL | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
567635 | IRF2907ZS | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567636 | IRF2907ZS-7PPBF | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
567637 | IRF2907ZS-7PPBF | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
567638 | IRF300 | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
567639 | IRF300 | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
567640 | IRF3000 | 300V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
| | | |