| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 567601 | IRF250 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 567602 | IRF250 | 30A/ 200V/ 0.085 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 567603 | IRF250 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567604 | IRF250 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
| 567605 | IRF250SMD | N.CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 567606 | IRF251 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567607 | IRF251 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
| 567608 | IRF251 | 25A und 30A, 150V und 200V, 0.085 und 0.120 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567609 | IRF252 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567610 | IRF252 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
| 567611 | IRF252 | 25A und 30A, 150V und 200V, 0.085 und 0.120 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567612 | IRF253 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567613 | IRF253 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
| 567614 | IRF253 | 25A und 30A, 150V und 200V, 0.085 und 0.120 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567615 | IRF2804 | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567616 | IRF2804L | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567617 | IRF2804S | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567618 | IRF2804S-7P | AUTOMOBILMOSFET | International Rectifier |
| 567619 | IRF2805 | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567620 | IRF2805L | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567621 | IRF2805S | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567622 | IRF2807 | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567623 | IRF2807L | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567624 | IRF2807PBF | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567625 | IRF2807S | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567626 | IRF2807STRL | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567627 | IRF2807STRL-111 | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567628 | IRF2807STRR | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567629 | IRF2807Z | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567630 | IRF2807ZL | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567631 | IRF2807ZS | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2Pak Paket | International Rectifier |
| 567632 | IRF2907S | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567633 | IRF2907Z | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567634 | IRF2907ZL | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567635 | IRF2907ZS | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567636 | IRF2907ZS-7PPBF | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567637 | IRF2907ZS-7PPBF | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567638 | IRF300 | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
| 567639 | IRF300 | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
| 567640 | IRF3000 | 300V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
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