| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 600161 | K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 600162 | K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 600163 | K4R271669A | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
| 600164 | K4R271669A-N(M)CK7 | 256K x 16/18 крены бита x 2*16
зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600165 | K4R271669A-N(M)CK8 | 256K x 16/18 крены бита x 2*16
зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600166 | K4R271669A-NB(M)CCG6 | 256K x 16/18 крены бита x 2*16
зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600167 | K4R271669AM-CG6 | 256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, частота ввода / вывода. 600 МГц. | Samsung Electronic |
| 600168 | K4R271669AM-CK7 | 256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 711 МГц. | Samsung Electronic |
| 600169 | K4R271669AM-CK8 | 256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 800 МГц. | Samsung Electronic |
| 600170 | K4R271669AN-CG6 | 256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, I / O частота 600 МГц. | Samsung Electronic |
| 600171 | K4R271669AN-CK7 | 256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 711 МГц. | Samsung Electronic |
| 600172 | K4R271669AN-CK8 | 256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 800 МГц. | Samsung Electronic |
| 600173 | K4R271669B | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
| 600174 | K4R271669B | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
| 600175 | K4R271669B-MCG6 | 256K х 16 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, I / O частота .: 600 МГц. | Samsung Electronic |
| 600176 | K4R271669B-MCK7 | 256K х 16 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, I / O частота .: 711 МГц. | Samsung Electronic |
| 600177 | K4R271669B-MCK8 | 256K х 16 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, I / O частота .: 800 МГц. | Samsung Electronic |
| 600178 | K4R271669B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 крены бита x 32s
направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600179 | K4R271669B-N(M)CK7 | 256K x 16/18 крены бита x 32s
направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600180 | K4R271669B-NB(M)CCK8 | 256K x 16/18 крены бита x 32s
направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600181 | K4R271669B-NCG6 | 256K х 16 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, I / O частота .: 600 МГц. | Samsung Electronic |
| 600182 | K4R271669B-NCK7 | 256K х 16 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, я O частота .: 711 МГц / | Samsung Electronic |
| 600183 | K4R271669B-NCK8 | 256K х 16 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, я O частота .: 800 МГц / | Samsung Electronic |
| 600184 | K4R271669D | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
| 600185 | K4R271669D-T | 128Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
| 600186 | K4R271669D-TCS8 | 128Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
| 600187 | K4R271669E | 128Mbit RDRAM(E-die) | Samsung Electronic |
| 600188 | K4R271669F | 128Mbit RDRAM(F-die) | Samsung Electronic |
| 600189 | K4R271869B-MCG6 | 256K х 18 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, I / O частота .: 600 МГц. | Samsung Electronic |
| 600190 | K4R271869B-MCK7 | 256K х 18 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, I / O частота .: 711 МГц. | Samsung Electronic |
| 600191 | K4R271869B-MCK8 | 256K х 18 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, I / O частота .: 800 МГц. | Samsung Electronic |
| 600192 | K4R271869B-NCG6 | 256K х 18 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, I / O частота .: 600 МГц. | Samsung Electronic |
| 600193 | K4R271869B-NCK7 | 256K х 18 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, I / O частота .: 711 МГц. | Samsung Electronic |
| 600194 | K4R271869B-NCK8 | 256K х 18 х 32s банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, I / O частота .: 800 МГц. | Samsung Electronic |
| 600195 | K4R441869A | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
| 600196 | K4R441869A-N(M) | K4R271669A-N(M):Direct RDRAM. Лист
Данных | Samsung Electronic |
| 600197 | K4R441869A-N(M)CG6 | 256K x 16/18 крены бита x 2*16
зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600198 | K4R441869A-N(M)CK7 | 256K x 16/18 крены бита x 2*16
зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600199 | K4R441869A-N(M)CK8 | 256K x 16/18 крены бита x 2*16
зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600200 | K4R441869AM-CG6 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, частота ввода / вывода. 600 МГц. | Samsung Electronic |
| | | |
