|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15001 | 15002 | 15003 | 15004 | 15005 | 15006 | 15007 | 15008 | 15009 | 15010 | 15011 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
600201K4R441869AM-CK7256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 711 МГц.Samsung Electronic
600202K4R441869AM-CK8256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 800 МГц.Samsung Electronic
600203K4R441869AN-CG6256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, частота ввода / вывода. 600 МГц.Samsung Electronic
600204K4R441869AN-CK7256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 711 МГц.Samsung Electronic
600205K4R441869AN-CK8256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 800 МГц.Samsung Electronic
600206K4R441869BK4R271669B:Direct RDRAM. Лист ДанныхSamsung Electronic
600207K4R441869BСразу RDRAM. Лист ДанныхSamsung Electronic
600208K4R441869B-N(M)CG6256K x 16/18 крены бита x 32s направляют RDRAMTMSamsung Electronic
600209K4R441869B-N(M)CK7256K x 16/18 крены бита x 32s направляют RDRAMTMSamsung Electronic
600210K4R441869B-N(M)CK8256K x 16/18 крены бита x 32s направляют RDRAMTMSamsung Electronic
600211K4R521669A250 до 0.13V; 512 / 576Mbit короткие канал без остановок 1066 RDRAM (кристалле); 1M х 16/18 битов х 32s БанкиSamsung Electronic
600212K4R57(88)16(8)69AСразу RDRAM. Лист ДанныхSamsung Electronic
600213K4R571669D256/288Mbit RDRAM(D-die)Samsung Electronic
600214K4R571669MСразу RDRAM. Лист ДанныхSamsung Electronic
600215K4R761869A250 до 0.13V; 512 / 576Mbit короткие канал без остановок 1066 RDRAM (кристалле); 1M х 16/18 битов х 32s БанкиSamsung Electronic
600216K4R761869A-F1M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE) крены сразу RDRAMTM 18bit х 32sSamsung Electronic
600217K4R761869A-FBCCN11M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE) крены сразу RDRAMTM 18bit х 32sSamsung Electronic
600218K4R761869A-FCM81M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE) крены сразу RDRAMTM 18bit х 32sSamsung Electronic
600219K4R761869A-FCT91M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE) крены сразу RDRAMTM 18bit х 32sSamsung Electronic
600220K4R761869A-GCM81M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE) крены сразу RDRAMTM 18bit х 32sSamsung Electronic
600221K4R761869A-GCN11M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE) крены сразу RDRAMTM 18bit х 32sSamsung Electronic
600222K4R761869A-GCT91M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE) крены сразу RDRAMTM 18bit х 32sSamsung Electronic
600223K4R881869288Mbit RDRAM 512K x 18 кренов 2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTMSamsung Electronic
600224K4R881869D256/288Mbit RDRAM(D-die)Samsung Electronic
600225K4R881869MСразу RDRAM. Лист ДанныхSamsung Electronic
600226K4R881869MСразу RDRAM. Лист ДанныхSamsung Electronic
600227K4R881869M-NBCCG6288Mbit RDRAM 512K x 18 кренов 2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTMSamsung Electronic
600228K4R881869M-NCK7288Mbit RDRAM 512K x 18 кренов 2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTMSamsung Electronic
600229K4R881869M-NCK8288Mbit RDRAM 512K x 18 кренов 2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTMSamsung Electronic
600230K4S160822D1M x 8bit x DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйSamsung Electronic
600231K4S160822DT-G/F101M x 8bit x 2Mx8 SDRAM DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйSamsung Electronic
600232K4S160822DT-G/F71M x 8bit x 2Mx8 SDRAM DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйSamsung Electronic
600233K4S160822DT-G/F81M x 8bit x 2Mx8 SDRAM DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйSamsung Electronic
600234K4S160822DT-G/FH1M x 8bit x 2Mx8 SDRAM DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйSamsung Electronic
600235K4S160822DT-G/FL1M x 8bit x 2Mx8 SDRAM DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйSamsung Electronic
600236K4S161622D512K х 16Bit x DRAM 2 кренов одновременныйSamsung Electronic
600237K4S161622D-TC/L/I/P512K х 16Bit x лист 2 данным по DRAM кренов одновременныйSamsung Electronic
600238K4S161622D-TC/L/I/P512K х 16Bit x лист 2 данным по DRAM кренов одновременныйSamsung Electronic
600239K4S161622D-TC/L10512K х 16Bit x DRAM 2 кренов одновременныйSamsung Electronic
600240K4S161622D-TC/L55512K х 16Bit x DRAM 2 кренов одновременныйSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15001 | 15002 | 15003 | 15004 | 15005 | 15006 | 15007 | 15008 | 15009 | 15010 | 15011 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com