Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
600201 | K4R441869AM-CK7 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 711 МГц. | Samsung Electronic |
600202 | K4R441869AM-CK8 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 800 МГц. | Samsung Electronic |
600203 | K4R441869AN-CG6 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, частота ввода / вывода. 600 МГц. | Samsung Electronic |
600204 | K4R441869AN-CK7 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 711 МГц. | Samsung Electronic |
600205 | K4R441869AN-CK8 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота ввода / вывода. 800 МГц. | Samsung Electronic |
600206 | K4R441869B | K4R271669B:Direct RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
600207 | K4R441869B | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
600208 | K4R441869B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 крены бита x 32s
направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
600209 | K4R441869B-N(M)CK7 | 256K x 16/18 крены бита x 32s
направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
600210 | K4R441869B-N(M)CK8 | 256K x 16/18 крены бита x 32s
направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
600211 | K4R521669A | 250 до 0.13V; 512 / 576Mbit короткие канал без остановок 1066 RDRAM (кристалле); 1M х 16/18 битов х 32s Банки | Samsung Electronic |
600212 | K4R57(88)16(8)69A | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
600213 | K4R571669D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
600214 | K4R571669M | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
600215 | K4R761869A | 250 до 0.13V; 512 / 576Mbit короткие канал без остановок 1066 RDRAM (кристалле); 1M х 16/18 битов х 32s Банки | Samsung Electronic |
600216 | K4R761869A-F | 1M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE)
крены сразу RDRAMTM 18bit х 32s | Samsung Electronic |
600217 | K4R761869A-FBCCN1 | 1M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE)
крены сразу RDRAMTM 18bit х 32s | Samsung Electronic |
600218 | K4R761869A-FCM8 | 1M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE)
крены сразу RDRAMTM 18bit х 32s | Samsung Electronic |
600219 | K4R761869A-FCT9 | 1M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE)
крены сразу RDRAMTM 18bit х 32s | Samsung Electronic |
600220 | K4R761869A-GCM8 | 1M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE)
крены сразу RDRAMTM 18bit х 32s | Samsung Electronic |
600221 | K4R761869A-GCN1 | 1M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE)
крены сразу RDRAMTM 18bit х 32s | Samsung Electronic |
600222 | K4R761869A-GCT9 | 1M x 576Mbit RDRAM (-UMRITE)
крены сразу RDRAMTM 18bit х 32s | Samsung Electronic |
600223 | K4R881869 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 кренов
2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
600224 | K4R881869D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
600225 | K4R881869M | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
600226 | K4R881869M | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
600227 | K4R881869M-NBCCG6 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 кренов
2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
600228 | K4R881869M-NCK7 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 кренов
2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
600229 | K4R881869M-NCK8 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 кренов
2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
600230 | K4S160822D | 1M x 8bit x DRAM LVTTL 2
кренов одновременный | Samsung Electronic |
600231 | K4S160822DT-G/F10 | 1M x 8bit x 2Mx8 SDRAM
DRAM LVTTL 2 кренов одновременный | Samsung Electronic |
600232 | K4S160822DT-G/F7 | 1M x 8bit x 2Mx8 SDRAM
DRAM LVTTL 2 кренов одновременный | Samsung Electronic |
600233 | K4S160822DT-G/F8 | 1M x 8bit x 2Mx8 SDRAM
DRAM LVTTL 2 кренов одновременный | Samsung Electronic |
600234 | K4S160822DT-G/FH | 1M x 8bit x 2Mx8 SDRAM
DRAM LVTTL 2 кренов одновременный | Samsung Electronic |
600235 | K4S160822DT-G/FL | 1M x 8bit x 2Mx8 SDRAM
DRAM LVTTL 2 кренов одновременный | Samsung Electronic |
600236 | K4S161622D | 512K х 16Bit x DRAM 2 кренов
одновременный | Samsung Electronic |
600237 | K4S161622D-TC/L/I/P | 512K х 16Bit x лист 2 данным по
DRAM кренов одновременный | Samsung Electronic |
600238 | K4S161622D-TC/L/I/P | 512K х 16Bit x лист 2 данным по
DRAM кренов одновременный | Samsung Electronic |
600239 | K4S161622D-TC/L10 | 512K х 16Bit x DRAM 2 кренов
одновременный | Samsung Electronic |
600240 | K4S161622D-TC/L55 | 512K х 16Bit x DRAM 2 кренов
одновременный | Samsung Electronic |
| | | |