| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 912961 | MTP30P06V | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912962 | MTP30P06V-D | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 912963 | MTP30P06VG | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912964 | MTP33N10 | Fet СИЛЫ TMOS 33 АМПЕРА 100
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.06 ОМА | Motorola |
| 912965 | MTP33N10E | Fet СИЛЫ TMOS 33 АМПЕРА 100
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.06 ОМА | Motorola |
| 912966 | MTP33N10E | Сила NChannel Spp | ON Semiconductor |
| 912967 | MTP33N10E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 912968 | MTP36N06 | Fet СИЛЫ TMOS 32 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВ
RDS(on) = 0.04 ОМА | Motorola |
| 912969 | MTP36N06V | Fet СИЛЫ TMOS 32 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВ
RDS(on) = 0.04 ОМА | Motorola |
| 912970 | MTP36N06V | Mosfet Силы 32 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 912971 | MTP36N06V-D | Mosfet Силы 32 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 912972 | MTP3N100 | N-канальный TMOS мощности на полевых транзисторах. 1000 В, 3 А, RDS (на) 4 Ом. | Motorola |
| 912973 | MTP3N100E | Fet СИЛЫ TMOS 3.0 АМПЕРА 1000
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 4.0 ОМА | Motorola |
| 912974 | MTP3N100E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 912975 | MTP3N120E | Fet СИЛЫ TMOS 3.0 АМПЕРА 1200
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 5.0 ОМА | Motorola |
| 912976 | MTP3N120E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 912977 | MTP3N25E | Fet СИЛЫ TMOS 3.0 АМПЕРА 250
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 1.4 ОМА | Motorola |
| 912978 | MTP3N35 | MOSFETs Силы Н-Kanala, 3.0 А,
350-400 В | Fairchild Semiconductor |
| 912979 | MTP3N40 | MOSFETs Силы Н-Kanala, 3.0 А,
350-400 В | Fairchild Semiconductor |
| 912980 | MTP3N50 | Fet СИЛЫ TMOS 3.0 АМПЕРА 500
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 3.0 ОМА | Motorola |
| 912981 | MTP3N50E | Fet СИЛЫ TMOS 3.0 АМПЕРА 500
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 3.0 ОМА | Motorola |
| 912982 | MTP3N50E | 3 А К-220AB, N-канал, VDSS 500 | ON Semiconductor |
| 912983 | MTP3N50E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Fet Силы Высокой Энергии TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 912984 | MTP3N60 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 912985 | MTP3N60 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 912986 | MTP3N60 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 912987 | MTP3N60E | Fet СИЛЫ TMOS 3.0 АМПЕРА 600
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 2.2 ОМА | Motorola |
| 912988 | MTP3N60E | 3 А К-220AB, N-канал, VDSS 600 | ON Semiconductor |
| 912989 | MTP3N60E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Fet Силы Высокой Энергии TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 912990 | MTP3N60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 912991 | MTP3N60FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 912992 | MTP3N60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 912993 | MTP40N10E | Fet СИЛЫ TMOS 40 АМПЕРОВ 100
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.04 ОМА | Motorola |
| 912994 | MTP40N10E | Мощность MOSFET 40 Ампер, 100 Вольт | ON Semiconductor |
| 912995 | MTP40N10E-D | Mosfet Силы 40 Амперов, 100 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 912996 | MTP45N05E | ТРАНЗИСТОРЫ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ TMOS IV | Motorola |
| 912997 | MTP4N08 | MOSFETs Силы Н-Kanala, 5.5 А,
60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 912998 | MTP4N10 | MOSFETs Силы Н-Kanala, 5.5 А,
60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 912999 | MTP4N40E | Fet СИЛЫ TMOS 4.0 АМПЕРА 400
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 1.8 ОМА | Motorola |
| 913000 | MTP4N40E | УСТАРЕЛО - 4 Amp TO-220AB, N-канал, VDSS 400 | ON Semiconductor |
| | | |
