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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
912961MTP30P06VTransistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 VoltsON Semiconductor
912962MTP30P06V-DTransistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts, N-Canal De niveau To-220 De LogiqueON Semiconductor
912963MTP30P06VGTransistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 VoltsON Semiconductor
912964MTP33N10FET de PUISSANCE de TMOS 33 AMPÈRES 100 VOLTS De RDS(on) = 0,06 OHMSMotorola
912965MTP33N10EFET de PUISSANCE de TMOS 33 AMPÈRES 100 VOLTS De RDS(on) = 0,06 OHMSMotorola
912966MTP33N10EPuissance NChannel d'EspècesON Semiconductor
912967MTP33N10E-DPorte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor à effet de champ De Puissance D'E-FET de TMOSON Semiconductor
912968MTP36N06FET de PUISSANCE de TMOS 32 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,04 OHMSMotorola
912969MTP36N06VFET de PUISSANCE de TMOS 32 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,04 OHMSMotorola
912970MTP36N06VTransistor MOSFET De Puissance 32 Ampères, 60 VoltsON Semiconductor
912971MTP36N06V-DTransistor MOSFET De Puissance 32 Ampères, 60 Volts De N-Canal To-220ON Semiconductor
912972MTP3N100N-canal TMOS FET de puissance. 1000 V, 3 A, RDS (on) 4 Ohm.Motorola
912973MTP3N100EFET de PUISSANCE de TMOS 3,0 AMPÈRES 1000 VOLTS De RDS(on) = 4,0 OHMSMotorola
912974MTP3N100E-DPorte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor à effet de champ De Puissance D'E-FET de TMOSON Semiconductor
912975MTP3N120EFET de PUISSANCE de TMOS 3,0 AMPÈRES 1200 VOLTS De RDS(on) = 5,0 OHMSMotorola
912976MTP3N120E-DPorte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor à effet de champ De Puissance D'E-FET de TMOSON Semiconductor
912977MTP3N25EFET de PUISSANCE de TMOS 3,0 AMPÈRES 250 VOLTS De RDS(on) = 1,4 OHMSMotorola
912978MTP3N35Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal, 3.0 A, 350-400 VFairchild Semiconductor
912979MTP3N40Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal, 3.0 A, 350-400 VFairchild Semiconductor



912980MTP3N50FET de PUISSANCE de TMOS 3,0 AMPÈRES 500 VOLTS De RDS(on) = 3,0 OHMSMotorola
912981MTP3N50EFET de PUISSANCE de TMOS 3,0 AMPÈRES 500 VOLTS De RDS(on) = 3,0 OHMSMotorola
912982MTP3N50E3 Amp TO-220AB, N-Channel, VDSS 500ON Semiconductor
912983MTP3N50E-DPorte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal de FET De Puissance D'Énergie Élevée D'E-FET de TMOSON Semiconductor
912984MTP3N60VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
912985MTP3N60N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
912986MTP3N60VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
912987MTP3N60EFET de PUISSANCE de TMOS 3,0 AMPÈRES 600 VOLTS De RDS(on) = 2,2 OHMSMotorola
912988MTP3N60E3 Amp TO-220AB, N-Channel, VDSS 600ON Semiconductor
912989MTP3N60E-DPorte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal de FET De Puissance D'Énergie Élevée D'E-FET de TMOSON Semiconductor
912990MTP3N60FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
912991MTP3N60FIN - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
912992MTP3N60FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
912993MTP40N10EFET de PUISSANCE de TMOS 40 AMPÈRES 100 VOLTS De RDS(on) = 0,04 OHMSMotorola
912994MTP40N10EMOSFET de puissance 40 ampères, 100 voltsON Semiconductor
912995MTP40N10E-DTransistor MOSFET De Puissance 40 Ampères, 100 Volts De N-Canal To-220ON Semiconductor
912996MTP45N05ETRANSISTORS À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE DE TMOS IVMotorola
912997MTP4N08Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal, 5.5 A, 60-100VFairchild Semiconductor
912998MTP4N10Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal, 5.5 A, 60-100VFairchild Semiconductor
912999MTP4N40EFET de PUISSANCE de TMOS 4,0 AMPÈRES 400 VOLTS De RDS(on) = 1,8 OHMSMotorola
913000MTP4N40EOBSOLETE - 4 Amp TO-220AB, N-Channel, VDSS 400ON Semiconductor
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