| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 13301 | UPA2755GR | ДИОД БАРЬЕРА СИЛЫ MOSFET/SCHOTTKY ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
N-CHANNEL | NEC |
| 13302 | UPA2756GR | ДИОД БАРЬЕРА СИЛЫ MOSFET/SCHOTTKY ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
N-CHANNEL | NEC |
| 13303 | UPA2780GR | ДИОД БАРЬЕРА СИЛЫ MOSFET/SCHOTTKY ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
N-CHANNEL | NEC |
| 13304 | UPA2781GR | ДИОД БАРЬЕРА СИЛЫ MOSFET/SCHOTTKY ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
N-CHANNEL | NEC |
| 13305 | UPA2782GR | ДИОД БАРЬЕРА СИЛЫ MOSFET/SCHOTTKY ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
N-CHANNEL | NEC |
| 13306 | UPA2790GR | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ N- И Fet Mos СИЛЫ
P-CHANNEL | NEC |
| 13307 | UPA502T | ЦЕПИ 5-WTYRE1 2 FET MOS N-CHANNEL | NEC |
| 13308 | UPA502T-T1 | Транзистор кремния | NEC |
| 13309 | UPA502T-T2 | Транзистор кремния | NEC |
| 13310 | UPA503T | Транзистор кремния | NEC |
| 13311 | UPA503T-T1 | Транзистор кремния | NEC |
| 13312 | UPA503T-T2 | Транзистор кремния | NEC |
| 13313 | UPA505T | ЦЕПИ 5-WTYRE1 2 FET MOS
N-CHANNEL/P-CHANNEL | NEC |
| 13314 | UPA507TE | Fet mos повышени-tipa Pch
(diode(SBD) барьера schottky На-oblomoka) | NEC |
| 13315 | UPA507TE-T1 | Fet mos повышени-tipa Pch
(diode(SBD) барьера schottky На-oblomoka) | NEC |
| 13316 | UPA507TE-T2 | Fet mos повышени-tipa Pch
(diode(SBD) барьера schottky На-oblomoka) | NEC |
| 13317 | UPA508TE | Fet mos повышени-tipa Nch
(diode(SBD) барьера schottky На-oblomoka) | NEC |
| 13318 | UPA508TE-T1 | Fet mos повышени-tipa Nch
(diode(SBD) барьера schottky На-oblomoka) | NEC |
| 13319 | UPA508TE-T2 | Fet mos повышени-tipa Nch
(diode(SBD) барьера schottky На-oblomoka) | NEC |
| 13320 | UPA572 | ЦЕПИ 5-WTYRE1 2 FET MOS N-CHANNEL
ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13321 | UPA572T | ЦЕПИ 5-WTYRE1 2 FET MOS N-CHANNEL
ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13322 | UPA573T | ЦЕПИ 5-WTYRE1 2 FET MOS P-CHANNEL
ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13323 | UPA602T | ЦЕПИ 6-WTYRE1 2 FET MOS
N-CHANNEL | NEC |
| 13324 | UPA603 | ЦЕПИ 6-WTYRE1 2 FET MOS P-CHANNEL
ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13325 | UPA603T | ЦЕПИ 6-WTYRE1 2 FET MOS P-CHANNEL
ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13326 | UPA606T | ЦЕПИ 6-WTYRE1 2 FET MOS N-CHANNEL
ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13327 | UPA607 | ЦЕПИ 6-WTYRE1 2 FET MOS P-CHANNEL
ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13328 | UPA607T | ЦЕПИ 6-WTYRE1 2 FET MOS P-CHANNEL
ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13329 | UPA610 | Малые 6-wtyri миллиметр -30V/0.1A
mosfet сигнала, привод 2.5V | NEC |
| 13330 | UPA610TA | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ
ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13331 | UPA611TA | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS N-CHANNEL ДЛЯ
ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13332 | UPA620 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13333 | UPA620TT | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS N-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13334 | UPA620TT-E1 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13335 | UPA620TT-E2 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13336 | UPA621 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13337 | UPA621TT | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS N-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13338 | UPA621TT-E1 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13339 | UPA621TT-E2 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13340 | UPA622 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13341 | UPA622TT | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS N-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13342 | UPA622TT-E1 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13343 | UPA622TT-E1-A | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS N-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13344 | UPA622TT-E2 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13345 | UPA622TT-E2-A | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS N-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13346 | UPA650 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13347 | UPA650TT | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13348 | UPA650TT-E1 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13349 | UPA650TT-E2 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13350 | UPA651 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13351 | UPA651TT | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13352 | UPA651TT-E1 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13353 | UPA651TT-E2 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13354 | UPA652 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13355 | UPA652TT | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13356 | UPA652TT-E1 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13357 | UPA652TT-E2 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13358 | UPA653 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13359 | UPA653TT | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13360 | UPA653TT-E1 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13361 | UPA653TT-E2 | fet mos типа повышения П-kanala | NEC |
| 13362 | UPA672 | БЛОК FET MOS N-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13363 | UPA672T | БЛОК FET MOS N-CHANNEL ДЛЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | NEC |
| 13364 | UPA675T | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13365 | UPA675T-T1 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13366 | UPA675T-T2 | fet mos типа повышения Н-kanala | NEC |
| 13367 | UPA677TB | Fet mos повышения Н-Kanala для
переключателя нагрузки | NEC |
| 13368 | UPA678TB | Fet mos повышения П-Kanala для
переключателя нагрузки | NEC |
| 13369 | UPA679TB | Fet mos повышения N/P-Channel для
переключателя нагрузки | NEC |
| 13370 | UPA80 | Блок транзистора кремния | NEC |
| 13371 | UPA800T | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА HIGH-FREQUENCY
ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ
BUILT-IN 2 МИНИОЙ | NEC |
| 13372 | UPA800T-T1 | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА HIGH-FREQUENCY
ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ
BUILT-IN 2 МИНИОЙ | NEC |
| 13373 | UPA800T-T1B | 6-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзистор массив | NEC |
| 13374 | UPA800TF | ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ NPN | NEC |
| 13375 | UPA801 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С
6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD
BUILT-IN 2 х 2SC5006 FLAT-LEAD | NEC |
| 13376 | UPA801T | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С
6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD
BUILT-IN 2 х 2SC5006 FLAT-LEAD | NEC |
| 13377 | UPA801T-T1 | 6-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзистор | NEC |
| 13378 | UPA801TC | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С
6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD
BUILT-IN 2 х 2SC5006 FLAT-LEAD | NEC |
| 13379 | UPA801TC-T1 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С
6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD
BUILT-IN 2 х 2SC5006 FLAT-LEAD | NEC |
| 13380 | UPA801TF | NPN кремния высокой частоты транзистора. | NEC |
| 13381 | UPA802T | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА HIGH-FREQUENCY
ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ
BUILT-IN 2 МИНИОЙ | NEC |
| 13382 | UPA802T-T1 | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА HIGH-FREQUENCY
ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ
BUILT-IN 2 МИНИОЙ | NEC |
| 13383 | UPA802TC-T1 | 6-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзистор | NEC |
| 13384 | UPA803 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С
ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙ | NEC |
| 13385 | UPA803T | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С
ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙ | NEC |
| 13386 | UPA803T-T1 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С
ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2 МИНИОЙ | NEC |
| 13387 | UPA804 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С
6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD
BUILT-IN 2 х 2SC5004 FLAT-LEAD | NEC |
| 13388 | UPA804T | 6-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзистор | NEC |
| 13389 | UPA804T-T1 | 6-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзистор | NEC |
| 13390 | UPA804TC | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С
6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD
BUILT-IN 2 х 2SC5004 FLAT-LEAD | NEC |
| 13391 | UPA804TC-T1 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С
6-WTYR4MI THIN-TYPE УЛЬТРА СУПЕР MINIMOLD
BUILT-IN 2 х 2SC5004 FLAT-LEAD | NEC |
| 13392 | UPA804TF | 6-контактный небольшой ММ высокочастотный двойной транзистор | NEC |
| 13393 | UPA805 | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2
МИНИОЙ | NEC |
| 13394 | UPA805T | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2
МИНИОЙ | NEC |
| 13395 | UPA805T-T1 | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2
МИНИОЙ | NEC |
| 13396 | UPA806 | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2
МИНИОЙ | NEC |
| 13397 | UPA806T | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2
МИНИОЙ | NEC |
| 13398 | UPA806T-T1 | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2
МИНИОЙ | NEC |
| 13399 | UPA807 | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2
СУПЕР МИНИОЙ | NEC |
| 13400 | UPA807T | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ С ПРЕССФОРМОЙ ЭЛЕМЕНТОВ BUILT-IN 2
СУПЕР МИНИОЙ | NEC |
| | | |
