| Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 13301 | UPA2755GR | MOSFET DI ALIMENTAZIONE DI COMMUTAZIONE N-CHANNEL | NEC |
| 13302 | UPA2756GR | MOSFET DI ALIMENTAZIONE DI COMMUTAZIONE N-CHANNEL | NEC |
| 13303 | UPA2780GR | DIODO DI BARRIERA DI ALIMENTAZIONE MOSFET/SCHOTTKY DI COMMUTAZIONE N-CHANNEL | NEC |
| 13304 | UPA2781GR | DIODO DI BARRIERA DI ALIMENTAZIONE MOSFET/SCHOTTKY DI COMMUTAZIONE N-CHANNEL | NEC |
| 13305 | UPA2782GR | DIODO DI BARRIERA DI ALIMENTAZIONE MOSFET/SCHOTTKY DI COMMUTAZIONE N-CHANNEL | NEC |
| 13306 | UPA2790GR | COMMUTAZIONE N E Fet del MOS di ALIMENTAZIONE di P-CHANNEL | NEC |
| 13307 | UPA502T | CIRCUITI Dei 5-perni 2 del Fet del MOS Della N-scanalatura | NEC |
| 13308 | UPA502T-T1 | Transistore del silicone | NEC |
| 13309 | UPA502T-T2 | Transistore del silicone | NEC |
| 13310 | UPA503T | Transistore del silicone | NEC |
| 13311 | UPA503T-T1 | Transistore del silicone | NEC |
| 13312 | UPA503T-T2 | Transistore del silicone | NEC |
| 13313 | UPA505T | CIRCUITI Dei 5-perni 2 del Fet del MOS Di N-channel/p-channel | NEC |
| 13314 | UPA507TE | Aumento-tipo FET del MOS (diode(SBD) di Pch della barriera dello schottky del Su-circuito integrato) | NEC |
| 13315 | UPA507TE-T1 | Aumento-tipo FET del MOS (diode(SBD) di Pch della barriera dello schottky del Su-circuito integrato) | NEC |
| 13316 | UPA507TE-T2 | Aumento-tipo FET del MOS (diode(SBD) di Pch della barriera dello schottky del Su-circuito integrato) | NEC |
| 13317 | UPA508TE | Fet del MOS del aumento-tipo di Nch (diode(SBD) della barriera dello schottky del Su-circuito integrato) | NEC |
| 13318 | UPA508TE-T1 | Fet del MOS del aumento-tipo di Nch (diode(SBD) della barriera dello schottky del Su-circuito integrato) | NEC |
| 13319 | UPA508TE-T2 | Fet del MOS del aumento-tipo di Nch (diode(SBD) della barriera dello schottky del Su-circuito integrato) | NEC |
| 13320 | UPA572 | CIRCUITI Dei 5-perni 2 del Fet del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13321 | UPA572T | CIRCUITI Dei 5-perni 2 del Fet del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13322 | UPA573T | CIRCUITI Dei 5-perni 2 del Fet del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13323 | UPA602T | CIRCUITI Dei 6-perni 2 del Fet del MOS Della N-scanalatura | NEC |
| 13324 | UPA603 | CIRCUITI Dei 6-perni 2 del Fet del MOS Della P-scanalatura | NEC |
| 13325 | UPA603T | CIRCUITI Dei 6-perni 2 del Fet del MOS Della P-scanalatura | NEC |
| 13326 | UPA606T | CIRCUITI Dei 6-perni 2 del Fet del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13327 | UPA607 | CIRCUITI Dei 6-perni 2 del Fet del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13328 | UPA607T | CIRCUITI Dei 6-perni 2 del Fet del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13329 | UPA610 | Piccoli 6-perni millimetro -30v/0.1a, del MOSFET del segnale azionamento 2.5V | NEC |
| 13330 | UPA610TA | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITŔ | NEC |
| 13331 | UPA611TA | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITŔ | NEC |
| 13332 | UPA620 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13333 | UPA620TT | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13334 | UPA620TT-E1 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13335 | UPA620TT-E2 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13336 | UPA621 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13337 | UPA621TT | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13338 | UPA621TT-E1 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13339 | UPA621TT-E2 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13340 | UPA622 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13341 | UPA622TT | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13342 | UPA622TT-E1 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13343 | UPA622TT-E1-A | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13344 | UPA622TT-E2 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13345 | UPA622TT-E2-A | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13346 | UPA650 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13347 | UPA650TT | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13348 | UPA650TT-E1 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13349 | UPA650TT-E2 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13350 | UPA651 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13351 | UPA651TT | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13352 | UPA651TT-E1 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13353 | UPA651TT-E2 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13354 | UPA652 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13355 | UPA652TT | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13356 | UPA652TT-E1 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13357 | UPA652TT-E2 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13358 | UPA653 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13359 | UPA653TT | TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13360 | UPA653TT-E1 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13361 | UPA653TT-E2 | FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalatura | NEC |
| 13362 | UPA672 | ALLINEAMENTO del Fet del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13363 | UPA672T | ALLINEAMENTO del Fet del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONE | NEC |
| 13364 | UPA675T | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13365 | UPA675T-T1 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13366 | UPA675T-T2 | FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalatura | NEC |
| 13367 | UPA677TB | Fet del MOS di aumento della N-Scanalatura per l'interruttore del carico | NEC |
| 13368 | UPA678TB | Fet del MOS di aumento della P-Scanalatura per l'interruttore del carico | NEC |
| 13369 | UPA679TB | Fet del MOS di aumento di N/P-Channel per l'interruttore del carico | NEC |
| 13370 | UPA80 | Allineamento del transistore del silicone | NEC |
| 13371 | UPA800T | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore Ad alta frequenza NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13372 | UPA800T-T1 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore Ad alta frequenza NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13373 | UPA800T-T1B | Piccolo MM ad alta frequenza gamma doppio transistor 6-pin | NEC |
| 13374 | UPA800TF | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 13375 | UPA801 | IL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5006 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perni | NEC |
| 13376 | UPA801T | IL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5006 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perni | NEC |
| 13377 | UPA801T-T1 | 6-pin piccola MM ad alta frequenza doppia transistor | NEC |
| 13378 | UPA801TC | IL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5006 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perni | NEC |
| 13379 | UPA801TC-T1 | IL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5006 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perni | NEC |
| 13380 | UPA801TF | NPN silicio transistore ad alta frequenza. | NEC |
| 13381 | UPA802T | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore Ad alta frequenza NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13382 | UPA802T-T1 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore Ad alta frequenza NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13383 | UPA802TC-T1 | 6-pin piccola MM ad alta frequenza doppia transistor | NEC |
| 13384 | UPA803 | TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13385 | UPA803T | TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13386 | UPA803T-T1 | TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13387 | UPA804 | IL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5004 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perni | NEC |
| 13388 | UPA804T | 6-pin piccola MM ad alta frequenza doppia transistor | NEC |
| 13389 | UPA804T-T1 | 6-pin piccola MM ad alta frequenza doppia transistor | NEC |
| 13390 | UPA804TC | IL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5004 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perni | NEC |
| 13391 | UPA804TC-T1 | IL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5004 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perni | NEC |
| 13392 | UPA804TF | 6-pin piccola MM ad alta frequenza doppia transistor | NEC |
| 13393 | UPA805 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE di MICROONDA del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13394 | UPA805T | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE di MICROONDA del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13395 | UPA805T-T1 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE di MICROONDA del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13396 | UPA806 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE di MICROONDA del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13397 | UPA806T | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE di MICROONDA del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13398 | UPA806T-T1 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE di MICROONDA del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13399 | UPA807 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE di MICROONDA del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore NPN CON MUFFA ECCELLENTE degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
| 13400 | UPA807T | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE di MICROONDA del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore NPN CON MUFFA ECCELLENTE degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MINI | NEC |
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