|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |

Часть название, описание или производитель содержать:

Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Информация Найдено :: 336

Номер	Часть Имя	Описание	Производитель
51	28C256ASC-2	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 150 нс.	Turbo IC
52	28C256ASC-2	Высокая скорость 150 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
53	28C256ASC-3	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.	Turbo IC
54	28C256ASC-3	Высокая скорость 200 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
55	28C256ASC-4	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.	Turbo IC
56	28C256ASC-4	Высокая скорость 250 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
57	28C256ASI-1	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 120 нс.	Turbo IC
58	28C256ASI-1	Высокая скорость 120 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
59	28C256ASI-2	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 150 нс.	Turbo IC
60	28C256ASI-2	Высокая скорость 150 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
61	28C256ASI-3	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.	Turbo IC
62	28C256ASI-3	Высокая скорость 200 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
63	28C256ASI-4	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.	Turbo IC
64	28C256ASI-4	Высокая скорость 250 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
65	28C256ASM-1	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 120 нс.	Turbo IC
66	28C256ASM-1	Высокая скорость 120 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
67	28C256ASM-2	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 150 нс.	Turbo IC
68	28C256ASM-2	Высокая скорость 150 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
69	28C256ASM-3	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.	Turbo IC
70	28C256ASM-3	Высокая скорость 200 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
71	28C256ASM-4	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.	Turbo IC
72	28C256ASM-4	Высокая скорость 250 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
73	28C256ATC-1	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 120 нс.	Turbo IC
74	28C256ATC-1	Высокая скорость 120 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
75	28C256ATC-2	Высокая скорость 150 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
76	28C256ATC-2	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 150 нс.	Turbo IC

77	28C256ATC-3	Высокая скорость 200 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
78	28C256ATC-3	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.	Turbo IC
79	28C256ATC-4	Высокая скорость 250 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
80	28C256ATC-4	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.	Turbo IC
81	28C256ATI-1	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 120 нс.	Turbo IC
82	28C256ATI-1	Высокая скорость 120 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
83	28C256ATI-2	Высокая скорость 150 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
84	28C256ATI-2	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 150 нс.	Turbo IC
85	28C256ATI-3	Высокая скорость 200 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
86	28C256ATI-3	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.	Turbo IC
87	28C256ATI-4	Высокая скорость 250 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
88	28C256ATI-4	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.	Turbo IC
89	28C256ATM-1	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 120 нс.	Turbo IC
90	28C256ATM-1	Высокая скорость 120 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
91	28C256ATM-2	Высокая скорость 150 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
92	28C256ATM-2	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 150 нс.	Turbo IC
93	28C256ATM-3	Высокая скорость 200 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
94	28C256ATM-3	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.	Turbo IC
95	28C256ATM-4	Высокая скорость 250 нс CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
96	28C256ATM-4	Высокая скорость CMOS. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.	Turbo IC
97	28LV256JC-3	Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.	Turbo IC
98	28LV256JC-3	Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
99	28LV256JC-4	Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM	Turbo IC
100	28LV256JC-4	Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.	Turbo IC

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/turboic/1/