|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 336 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
15128LV256SC-6Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
15228LV256SC-6Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс.Turbo IC
15328LV256SI-3Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.Turbo IC
15428LV256SI-3Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
15528LV256SI-4Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
15628LV256SI-4Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.Turbo IC
15728LV256SI-5Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс.Turbo IC
15828LV256SI-5Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
15928LV256SI-6Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс.Turbo IC
16028LV256SI-6Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
16128LV256SM-3Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
16228LV256SM-3Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.Turbo IC
16328LV256SM-4Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.Turbo IC
16428LV256SM-4Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
16528LV256SM-5Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс.Turbo IC
16628LV256SM-5Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
16728LV256SM-6Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
16828LV256SM-6Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс.Turbo IC
16928LV256TC-3Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
17028LV256TC-3Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.Turbo IC
17128LV256TC-4Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
17228LV256TC-4Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.Turbo IC
17328LV256TC-5Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
17428LV256TC-5Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс.Turbo IC
17528LV256TC-6Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
17628LV256TC-6Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс.Turbo IC



17728LV256TI-3Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
17828LV256TI-3Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.Turbo IC
17928LV256TI-4Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
18028LV256TI-4Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.Turbo IC
18128LV256TI-5Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
18228LV256TI-5Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс.Turbo IC
18328LV256TI-6Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
18428LV256TI-6Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс.Turbo IC
18528LV256TM-3Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
18628LV256TM-3Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс.Turbo IC
18728LV256TM-4Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс.Turbo IC
18828LV256TM-4Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
18928LV256TM-5Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс.Turbo IC
19028LV256TM-5Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
19128LV256TM-6Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс.Turbo IC
19228LV256TM-6Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROMTurbo IC
19329C010JC-1Высокая скорость 120 нс CMOS 1 Мбит программируемый и стираемые ПЗУ 128К х 8 BIT флэш PEROMTurbo IC
19429C010JC-1Высокая скорость CMOS. 1 Мегабит программируемый и стираемые ПЗУ. 128K х 8 бит флэш PEROM. Время доступа 120 нс.Turbo IC
19529C010JC-2Высокая скорость CMOS. 1 Мегабит программируемый и стираемые ПЗУ. 128K х 8 бит флэш PEROM. Время доступа 150 нс.Turbo IC
19629C010JC-2Высокая скорость 150 нс CMOS 1 Мбит программируемый и стираемые ПЗУ 128К х 8 BIT флэш PEROMTurbo IC
19729C010JC-3Высокая скорость в 200 нс CMOS 1 Мбит программируемый и стираемые ПЗУ 128К х 8 BIT флэш PEROMTurbo IC
19829C010JC-3Высокая скорость CMOS. 1 Мегабит программируемый и стираемые ПЗУ. 128K х 8 бит флэш PEROM. Время доступа 200 нс.Turbo IC
19929C010JI-1Высокая скорость CMOS. 1 Мегабит программируемый и стираемые ПЗУ. 128K х 8 бит флэш PEROM. Время доступа 120 нс.Turbo IC
20029C010JI-1Высокая скорость 120 нс CMOS 1 Мбит программируемый и стираемые ПЗУ 128К х 8 BIT флэш PEROMTurbo IC

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/turboic/1/