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Datasheets ha trovato :: 336

Nr.	Nome della parte	Descrizione	Fabbricatore
151	28LV256SC-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
152	28LV256SC-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
153	28LV256SI-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
154	28LV256SI-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
155	28LV256SI-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
156	28LV256SI-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
157	28LV256SI-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
158	28LV256SI-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
159	28LV256SI-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
160	28LV256SI-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
161	28LV256SM-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
162	28LV256SM-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
163	28LV256SM-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
164	28LV256SM-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
165	28LV256SM-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
166	28LV256SM-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
167	28LV256SM-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
168	28LV256SM-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
169	28LV256TC-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
170	28LV256TC-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
171	28LV256TC-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
172	28LV256TC-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
173	28LV256TC-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
174	28LV256TC-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
175	28LV256TC-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
176	28LV256TC-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC

177	28LV256TI-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
178	28LV256TI-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
179	28LV256TI-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
180	28LV256TI-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
181	28LV256TI-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
182	28LV256TI-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
183	28LV256TI-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
184	28LV256TI-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
185	28LV256TM-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
186	28LV256TM-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
187	28LV256TM-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
188	28LV256TM-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
189	28LV256TM-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
190	28LV256TM-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
191	28LV256TM-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
192	28LV256TM-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
193	29C010JC-1	Ad alta velocità di 120 ns CMOS da 1 Megabit programmabile e cancellabile 128K ROM x 8 BIT Flash PEROM	Turbo IC
194	29C010JC-1	CMOS ad alta velocità. 1 Megabit ROM programmabile e cancellabile. Flash PEROM 128K x 8 bit. Tempo di accesso 120 ns.	Turbo IC
195	29C010JC-2	CMOS ad alta velocità. 1 Megabit ROM programmabile e cancellabile. Flash PEROM 128K x 8 bit. Tempo di accesso 150 ns.	Turbo IC
196	29C010JC-2	Ad alta velocità 150 ns CMOS da 1 Megabit programmabile e cancellabile ROM 128K x 8 BIT Flash PEROM	Turbo IC
197	29C010JC-3	Ad alta velocità 200 ns CMOS da 1 Megabit programmabile e cancellabile ROM 128K x 8 BIT Flash PEROM	Turbo IC
198	29C010JC-3	CMOS ad alta velocità. 1 Megabit ROM programmabile e cancellabile. Flash PEROM 128K x 8 bit. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
199	29C010JI-1	CMOS ad alta velocità. 1 Megabit ROM programmabile e cancellabile. Flash PEROM 128K x 8 bit. Tempo di accesso 120 ns.	Turbo IC
200	29C010JI-1	Ad alta velocità di 120 ns CMOS da 1 Megabit programmabile e cancellabile 128K ROM x 8 BIT Flash PEROM	Turbo IC

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