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Datasheets ha trovato :: 336

Nr.	Nome della parte	Descrizione	Fabbricatore
101	28LV256JC-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
102	28LV256JC-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
103	28LV256JC-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
104	28LV256JC-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
105	28LV256JI-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
106	28LV256JI-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
107	28LV256JI-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
108	28LV256JI-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
109	28LV256JI-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
110	28LV256JI-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
111	28LV256JI-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
112	28LV256JI-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
113	28LV256JM-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
114	28LV256JM-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
115	28LV256JM-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
116	28LV256JM-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
117	28LV256JM-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
118	28LV256JM-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
119	28LV256JM-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
120	28LV256JM-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
121	28LV256PC-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
122	28LV256PC-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
123	28LV256PC-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
124	28LV256PC-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
125	28LV256PC-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
126	28LV256PC-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC

127	28LV256PC-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
128	28LV256PC-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
129	28LV256PI-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
130	28LV256PI-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
131	28LV256PI-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
132	28LV256PI-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
133	28LV256PI-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
134	28LV256PI-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
135	28LV256PI-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
136	28LV256PI-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
137	28LV256PM-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
138	28LV256PM-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
139	28LV256PM-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
140	28LV256PM-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
141	28LV256PM-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
142	28LV256PM-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC
143	28LV256PM-6	Velocità: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
144	28LV256PM-6	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns.	Turbo IC
145	28LV256SC-3	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns.	Turbo IC
146	28LV256SC-3	Velocità: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
147	28LV256SC-4	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns.	Turbo IC
148	28LV256SC-4	Velocità: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
149	28LV256SC-5	Velocità: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
150	28LV256SC-5	CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns.	Turbo IC

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