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As folhas de dados encontraram :: 336

Nr.	Nome da parte	Descrição	Fabricante
101	28LV256JC-5	Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
102	28LV256JC-5	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.	Turbo IC
103	28LV256JC-6	Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
104	28LV256JC-6	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.	Turbo IC
105	28LV256JI-3	Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
106	28LV256JI-3	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.	Turbo IC
107	28LV256JI-4	Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
108	28LV256JI-4	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.	Turbo IC
109	28LV256JI-5	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.	Turbo IC
110	28LV256JI-5	Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
111	28LV256JI-6	Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
112	28LV256JI-6	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.	Turbo IC
113	28LV256JM-3	Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
114	28LV256JM-3	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.	Turbo IC
115	28LV256JM-4	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.	Turbo IC
116	28LV256JM-4	Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
117	28LV256JM-5	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.	Turbo IC
118	28LV256JM-5	Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
119	28LV256JM-6	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.	Turbo IC
120	28LV256JM-6	Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
121	28LV256PC-3	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.	Turbo IC
122	28LV256PC-3	Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
123	28LV256PC-4	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.	Turbo IC
124	28LV256PC-4	Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
125	28LV256PC-5	Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
126	28LV256PC-5	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.	Turbo IC

127	28LV256PC-6	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.	Turbo IC
128	28LV256PC-6	Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
129	28LV256PI-3	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.	Turbo IC
130	28LV256PI-3	Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
131	28LV256PI-4	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.	Turbo IC
132	28LV256PI-4	Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
133	28LV256PI-5	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.	Turbo IC
134	28LV256PI-5	Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
135	28LV256PI-6	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.	Turbo IC
136	28LV256PI-6	Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
137	28LV256PM-3	Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
138	28LV256PM-3	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.	Turbo IC
139	28LV256PM-4	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.	Turbo IC
140	28LV256PM-4	Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
141	28LV256PM-5	Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
142	28LV256PM-5	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.	Turbo IC
143	28LV256PM-6	Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
144	28LV256PM-6	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.	Turbo IC
145	28LV256SC-3	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.	Turbo IC
146	28LV256SC-3	Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
147	28LV256SC-4	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.	Turbo IC
148	28LV256SC-4	Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
149	28LV256SC-5	Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
150	28LV256SC-5	CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.	Turbo IC

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