|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:

Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Les fiches techniques ont trouvé :: 336

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
151	28LV256SC-6	Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
152	28LV256SC-6	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.	Turbo IC
153	28LV256SI-3	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.	Turbo IC
154	28LV256SI-3	Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
155	28LV256SI-4	Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
156	28LV256SI-4	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.	Turbo IC
157	28LV256SI-5	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.	Turbo IC
158	28LV256SI-5	Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
159	28LV256SI-6	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.	Turbo IC
160	28LV256SI-6	Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
161	28LV256SM-3	Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
162	28LV256SM-3	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.	Turbo IC
163	28LV256SM-4	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.	Turbo IC
164	28LV256SM-4	Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
165	28LV256SM-5	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.	Turbo IC
166	28LV256SM-5	Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
167	28LV256SM-6	Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
168	28LV256SM-6	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.	Turbo IC
169	28LV256TC-3	Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
170	28LV256TC-3	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.	Turbo IC
171	28LV256TC-4	Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
172	28LV256TC-4	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.	Turbo IC
173	28LV256TC-5	Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
174	28LV256TC-5	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.	Turbo IC
175	28LV256TC-6	Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
176	28LV256TC-6	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.	Turbo IC

177	28LV256TI-3	Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
178	28LV256TI-3	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.	Turbo IC
179	28LV256TI-4	Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
180	28LV256TI-4	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.	Turbo IC
181	28LV256TI-5	Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
182	28LV256TI-5	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.	Turbo IC
183	28LV256TI-6	Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
184	28LV256TI-6	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.	Turbo IC
185	28LV256TM-3	Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
186	28LV256TM-3	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.	Turbo IC
187	28LV256TM-4	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.	Turbo IC
188	28LV256TM-4	Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
189	28LV256TM-5	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.	Turbo IC
190	28LV256TM-5	Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
191	28LV256TM-6	CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.	Turbo IC
192	28LV256TM-6	Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROM	Turbo IC
193	29C010JC-1	Haute vitesse de 120 ns CMOS 1 mégabit 128K ROM programmable et effaçable x 8 BIT éclair PEROM	Turbo IC
194	29C010JC-1	CMOS à grande vitesse. 1 mégabit de ROM programmable et effaçable. 128K x 8 bits Flash PEROM. Le temps d'accès de 120 ns.	Turbo IC
195	29C010JC-2	CMOS à grande vitesse. 1 mégabit de ROM programmable et effaçable. 128K x 8 bits Flash PEROM. Le temps d'accès de 150 ns.	Turbo IC
196	29C010JC-2	Haute vitesse de 150 ns CMOS 1 mégabit 128K ROM programmable et effaçable x 8 BIT éclair PEROM	Turbo IC
197	29C010JC-3	Haute vitesse de 200 ns CMOS 1 mégabit 128K ROM programmable et effaçable x 8 BIT éclair PEROM	Turbo IC
198	29C010JC-3	CMOS à grande vitesse. 1 mégabit de ROM programmable et effaçable. 128K x 8 bits Flash PEROM. Le temps d'accès de 200 ns.	Turbo IC
199	29C010JI-1	CMOS à grande vitesse. 1 mégabit de ROM programmable et effaçable. 128K x 8 bits Flash PEROM. Le temps d'accès de 120 ns.	Turbo IC
200	29C010JI-1	Haute vitesse de 120 ns CMOS 1 mégabit 128K ROM programmable et effaçable x 8 BIT éclair PEROM	Turbo IC

Page: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/turboic/1/