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Les fiches techniques ont trouvé :: 129

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
101	SRF-1016	65-300 MHz silicium-germanium si le récepteur.	Stanford Microdevices
102	SRF-2016	200-600 MHz de silicium germanium si le récepteur.	Stanford Microdevices
103	SRM-1016	800 - 1000 MHz haute linéarité de silicium-germanium de mélangeur de récepteur actif.	Stanford Microdevices
104	SRM-2016	1700 - 2000 MHz haute linéarité de silicium-germanium de mélangeur de récepteur actif.	Stanford Microdevices
105	SRM-3016	2200 - 2700 MHz haute linéarité de silicium-germanium de mélangeur de récepteur actif.	Stanford Microdevices
106	SSW-108	DC - 4 GHz haute isolation (32 dB à 2 GHz) commutateur GaAs MMIC SPDT.	Stanford Microdevices
107	SSW-124	DC - 6 GHz haute isolation (42 dB à 2 GHz, 30 dB à 6 GHz) commutateur GaAs MMIC SPDT.	Stanford Microdevices
108	SSW-208	DC - 4 GHz haute isolation (22 dB à 2 GHz) commutateur GaAs MMIC SPDT.	Stanford Microdevices
109	SSW-224	DC - 6 GHz haute isolation (40 dB à 2 GHz, 30 dB à 6 GHz) commutateur GaAs MMIC SPDT.	Stanford Microdevices
110	SSW-308	DC - 3 GHz à faible coût commutateur GaAs MMIC SPDT.	Stanford Microdevices
111	SSW-408	DC - 4 GHz haute puissance commutateur GaAs MMIC SPDT.	Stanford Microdevices
112	SSW-424	DC - 6 GHz haute puissance commutateur GaAs MMIC SPDT.	Stanford Microdevices
113	SSW-508	DC - 8 GHz commutateur GaAs MMIC SPST.	Stanford Microdevices
114	SSW-524	Commutateur DC-8 GHz GaAs MMIC SPST	Stanford Microdevices
115	STEL2020	Stel-2020	Stanford Microdevices
116	STM-1016	800-1000 MHz haute linéarité de silicium-germanium de mélangeur émission active.	Stanford Microdevices

117	STM-2016	1800-2200 MHz haute linéarité de silicium-germanium de mélangeur émission active.	Stanford Microdevices
118	STM-3016	2300-2700 MHz haute linéarité de silicium-germanium de mélangeur émission active.	Stanford Microdevices
119	STQ-2016	800-2500 MHz quadrature directe modulateur.	Stanford Microdevices
120	STQ-3016	2500-4000 MHz quadrature directe modulateur.	Stanford Microdevices
121	SXA-289	5-2000 MHz amplificateur de puissance GaAs HBT milieu	Stanford Microdevices
122	SXH-189	5-2000 MHz GaAs de puissance de l'amplificateur de transistor bipolaire hétérojonction milieu. Haut de 3ème ordre interception: 39 dBm typique. au 1960 MHz.	Stanford Microdevices
123	SXL-189-EB	800-1000 MHz, 50 Ohm amplificateur de puissance MMIC. La performance de linéarité élevée: + 42dBm typ. à 900 MHz. Carte d'évaluation.	Stanford Microdevices
124	SXL-208-BLK	800-970 MHz, 50 Ohm amplificateur de puissance MMIC. Haut de 3ème ordre interception: + 46dBm typ. à 900 MHz. Dispositifs par bobine 100 / BAC.	Stanford Microdevices
125	SXL-208-TR1	800-970 MHz, 50 Ohm amplificateur de puissance MMIC. Haut de 3ème ordre interception: + 46dBm typ. à 900 MHz. Dispositifs par bobine 500. taille de bobine 7	Stanford Microdevices
126	SXL-208-TR2	800-970 MHz, 50 Ohm amplificateur de puissance MMIC. Haut de 3ème ordre interception: + 46dBm typ. à 900 MHz. Dispositifs par bobine 1000. taille de la bobine 13	Stanford Microdevices
127	SXL-316-BLK	800 à 970 MHz, 50 Ohm module d'amplificateur de puissance. Haut de 3ème ordre interception: + 52dBm typ. à 850 MHz. Dispositifs par bobine 100 / BAC.	Stanford Microdevices
128	SXL-316-TR2	800 à 970 MHz, 50 Ohm module d'amplificateur de puissance. Haut de 3ème ordre interception: + 52dBm typ. à 850 MHz. Dispositifs par bobine 1000. taille de la bobine 13	Stanford Microdevices
129	SXT-289	1800-2500 MHz, amplificateur de puissance	Stanford Microdevices

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